其电源的电压和极性以及FET的导通和关断由栅极-源极电压控制。对于增强型FET，N沟道晶体管通过添加直流电压而导通，P沟道晶体管通过添加反向电压而导通，当栅极（G）的电压低于漏极（D）的电压，但衬底浓度不同时，NMOS直接在Psub的P-epi上，而PMOS在P-epi的n阱上，因此n阱的杂志浓度高于P-epi的杂志浓度，并且衬底浓度越高，相应的MOS晶体管的阈值电压越大，因此PMOS的阈值电压通常高于NMOS的阈值电压。
MOS上的电压有一个下降的过程，流过它的电流有一个上升的过程。在此期间，MOS管的损耗是电压和电流的乘积，称为开关损耗。此外，P沟道MOS晶体管的阈值电压的绝对值通常较高，这需要更高的工作电压。最大耐受电压和通态饱和电流决定了，首先，你的DC工作电压是多少？高于此值（有些管子可以更低），管子开始导电。压差越大，G和S（源）之间的阻力越小，损失越小，但不会太大。
它是一个电压控制元件，由栅极电压和S-D电极之间的体电阻控制。当在栅极上施加不同的电压时，源极和漏极之间的电阻会发生变化，这就是MOS晶体管的工作原理。还有一点就是G和s之间的最大耐受电压，MOS和三极管类似，但三极管是电流驱动的，MOS是电压驱动的，所以控制时要考虑MOS的G端电压。
MOS开启和关闭时，一定不是瞬间完成的。P沟道的G极电压为负极性，MOS晶体管不同于一般的晶体管。通常，开关损耗远大于传导损耗，由于器件的逻辑摆幅大、充放电过程长、跨导小，PMOS以较低的速度工作。与双极晶体管-晶体管逻辑电路不兼容，要解释你的问题，你必须先了解MOS晶体管的工作原理。
