pmos管的截止电压大概多大,MOS管的vgs电压
其电源的电压和极性以及FET的导通和关断由栅极-源极电压控制。对于增强型FET，N沟道晶体管通过添加直流电压而导通，P沟道晶体管通过添加反向电压而导通，当栅极（G）的电压低于漏极（D）的电压，但衬底浓度不同时，NMOS直接在Psub的P-epi上，而PMOS在P-epi的n阱上，因此n阱的杂志浓度高于P-epi的杂志浓度，并且衬底浓度越高，相应的MOS晶体管的阈值电压越大，因此PMOS的阈值电压通常高于NMOS的阈值电压。MOS上的电压有一个下降的过程，流过它的电流有一个上升的过程。在此期间，MOS管的损...
更新时间：2025-04-24标签： 电压epiNWELL沟道管子 全文阅读