肖特基二极管的基本原理是利用形成的肖特基来阻挡金属（如铅）与半导体（N型硅片）接触面上的反向电压。根据相关公开资料显示，肖特基曲线的全称是莫特肖特基方程曲线，t是肖特基二极管，肖特基曲线为直线的原因是由于金属半导体接触、欧姆接触和肖特基接触之间的关系，对应的电流-电压曲线为直线，可以根据欧姆定律进行分析。
为了安全起见，最好并联或串联使用肖特基二极管来稍微分散应力。反向饱和漏电流IR: IR是指二极管两端施加反向电压时流过二极管的电流，肖特基二极管的反向漏电流较大。Mott-Schottky技术是指在相同频率下根据阶跃电势从初始电势扫描到最终电势的技术。
当金属连接到正电压时，肖特基和PN结的整流原理根本不同。；然后断开连接并测量二极管阳极和阴极的反向电压。②势垒高度随施加的电压而变化。空间电荷区的电场减小，反向饱和漏电流IR: IR指的是在二极管两端施加反向电压时流过二极管的电流。导通压降vf: vf是二极管正向导通时二极管两端的压降，肖特基二极管尽量选择VF较小的二极管。
①不同的金属在与不同种类的半导体接触时具有不同的肖特基势垒高度。使用数字万用表（二极管测量装置）测量正向和反向电压降，方法是将红色唱针接在二极管的正极，黑色唱针接在负极，读数应不大于，其耐压只有好坏之分。导通压降VF: VF是二极管正向导通时二极管两端的压降，通过二极管的电流越大，VF越大；当二极管温度较高时，VF较小。
