场效应晶体管分为结型场效应晶体管（JFET）和绝缘栅型场效应晶体管（MOS晶体管），根据沟道材料类型和绝缘栅类型分为N沟道和P沟道。为了导通P沟道FET，栅极CJ电压必须低于源极S电压，并且在一定程度上；要使N沟道FET导通，栅极G电压必须高于源极S电压，并且在一定程度上高于源极S电压，三极管是电流控制元件，场效应管是电压控制元件。
当FET的初始导通电压约为0时，漏极和源极之间没有导电沟道。只有当UGS》导通电压（N沟道或UGSP沟道）时，才会出现导电沟道。仅结型场效应晶体管（耗尽型）；MOS管分为（增强型）和（耗尽型）。P沟道增强型mos晶体管的导通电压为负是正确的，因为栅极和衬底被二氧化硅绝缘层隔开。在栅极和源极之间施加电压vGS后，尽管电子将迁移并且导电沟道的横截面积将改变，但没有栅极电流流动，因此可以认为栅极电等于零。
电压运算放大器电源。相对而言，FET的输入电流要小得多，因此是低功耗元件，不能高于电源电压。场效应管具有很强的抗辐射能力，并且它的噪声很低，因为它没有由混乱的电子扩散引起的散粒噪声，晶体管（以下简称三极管）按材料分有锗管和硅管两种。增强模式很明确:P通道增强模式:当UgsUgs（th）时，它被打开。
