场效应晶体管分为结型场效应晶体管(JFET)和绝缘栅型场效应晶体管(MOS晶体管),根据沟道材料类型和绝缘栅类型分为N沟道和P沟道。为了导通P沟道FET,栅极CJ电压必须低于源极S电压,并且在一定程度上;要使N沟道FET导通,栅极G电压必须高于源极S电压,并且在一定程度上高于源极S电压,三极管是电流控制元件,场效应管是电压控制元件。当FET的初始导通电压约为0时,漏极和源极之间没有导电沟道。只有当UGS》导通电压(N沟道或UGSP沟道)时,才会出现导电沟道。仅结型场效应晶体管(耗尽型);MOS管分为(增强...
更新时间:2025-04-05标签: 电压效应沟道栅极结型场 全文阅读