漏极电流由栅极电压控制，从而控制功率。发射极电流由基极电压控制，从而控制功率，栅极电压用于控制发射极和集电极之间的导通和关断，从而控制功率，栅极电压用于控制阳极和阴极之间的通断，从而控制功率，它是一种全控压驱动的功率半导体器件，由双极结型晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管组成。它具有两者的优点，如高输入阻抗、低控制功率、易于驱动、高开关频率、大导通电流和低导通损耗。
IGBT主要用于逆变器和其他逆变电路。它被称为电力电子器件的CPU，也是高效节能减排的主力军。晶闸管:四端口器件，由阳极、阴极、栅极和控制电极组成。其工作原理是将电能转化为热能或机械能，实现电能的高速切换。放大电路的静态:指输入信号为零时的状态，电路中只有直流电流，因此可以用放大电路的直流通路来分析。
目前，IGBT广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车和新能源设备等电气领域。未来，以新能源汽车、光伏/风电逆变器、5G通信、UHV和充电桩为代表的新基建有望不断扩大IGBT的市场应用范围。在反相状态下，放大器电路颠倒连接集电极和发射极结。通常，放大状态是发射极结为正，集电极结为负。放大电路的动态性:是指当电路中某一量发生变化时，其他参数按照一定的数量级跟随变化。
静态工作点:当输入信号为零，电路处于DC工作状态时，这些电流和电压的值可以用BJT特性曲线上的某一点来表示，习惯上称为静态工作点q .在旧的说法中，它是晶体管处于静态工作状态时的基极电流。它是三极管基极没有交流信号输入时的基极电流。双极晶体管:由发射极、基极和集电极组成的三端口器件。
绝缘栅双极晶体管:由栅极、发射极、基极和集电极组成的四端口器件。碳化硅场效应晶体管:一种新型功率半导体器件，与传统硅材料相比，它具有更高的电子迁移率和饱和漂移速度，以及更高的耐高温性能和更高的电场强度，通常，饱和状态是发射极结和集电极结都被正向偏置。IGBT中文名称为绝缘栅双极晶体管，是一种基于功率半导体技术的芯片。
