下图显示了D类放大器的典型电路，它通过FET H桥连接。下面简要介绍一种由C-MOS场效应晶体管（增强型MOS场效应晶体管）组成的应用电路的工作过程（见图，目前在绝缘栅场效应晶体管中，场效应晶体管在电路中起到放大、开关和调节电流的作用，MOS场效应晶体管应用最广泛，结型场效应晶体管因有两个PN结而得名。
场效应晶体管有共源极和共漏极连接方法（对应于晶体管放大器电路的共发射极和共集电极连接方法）。耦合隔离驱动FET IRFZ和绝缘栅FET因栅极与其他电极完全绝缘而得名。如图所示，分压电阻器和电压调节器为场效应晶体管的栅极提供固定的参考电压。还有最近刚出的π-πMOS场效应晶体管。众所周知，上述FET H桥电路输出的脉冲波不方便直接驱动扬声器发声。
具体来说，FET可以实现以下功能:信号放大:FET可以作为放大器件，通过调节栅极电压来控制漏极和源极之间的电流，从而实现信号放大。在放大器电路中。场效应晶体管的功能与普通三极管相同，它的三个电极分别对应于:发射极-源极S、基极-栅极G和集电极-漏极D..描述了P沟道MOS FET的工作过程，其工作原理类似，此处不再赘述。
简称MOS管；此外，还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应晶体管，引脚从左侧排列（引脚朝下并面向模型）。led电路图如下，可以通过PWM调节LED亮度，栅极/基极（G）连接到控制信号，源极（S）连接到负载电源的负极（模拟地），漏极（D）连接到负载输出的负极，负载输入的正极直接连接到负载电源的正极。IRF是g，d和。
