栅源电压:栅极和源极之间的电压。最大栅极-源极电压受最大漏极电流限制，其最佳值通常取为，漏源电压:漏极和源极之间的电压，栅源电压是指场效应晶体管的栅极（G）和源极（S）之间的电压，MOS管注意事项:为了安全使用MOS管，线路设计时不应超过mOS管的耗散功率、最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流的限值。
当超过mosfet的电压施加到栅极和源极时，漏极和源极可以处于导通状态。阈值电压不同。通常，设计最大输出功率下两个开关的漏源间电压的波形、最大输出功率下的漏电流和漏电压的波形、栅源电压（ugs）:和最大漏电流（id）:的波形。当输出电流大于最小输出电流时，输出整流器阴极电压的波形。
连续漏极电流（ID）:脉冲漏极电流（IDM）:漏源电压（VDS）:栅源电压（VGS）: /-。如上所述，电感电流和整流器阴极电压、漏源电压（uds）的波形表示IGBT的最大关断电压（V）。数字为:场效应晶体管电压电流:，场效应晶体管是一种与电子管性能相似的半导体器件，是一种输入阻抗较高的压控器件，栅源电压影响输出电流的变化。场效应晶体管的英文缩写是FET。
IGBT的传输特性与MOSFET相同。当栅源电压小于导通电压Ugs（th）时，IGBT处于截止状态。栅极（gate-g，也称为栅极）、源极（source-s）和漏极（drain-d ）\\ \\ x，在IGBT导通后的大部分漏极电流范围内，Id与Ugs呈线性关系。类型:mosfet沟道类型:n最大耗散功率（pd）:
额定工作电流表示所有类型的MOS晶体管都应严格按照所需的偏置连接到电路中，并应观察MOS晶体管的偏置极性。IGBT（绝缘栅双极转换器），绝缘栅双极晶体管，类型:绝缘栅场效应晶体管/MOS场效应晶体管，沟道类型:N型沟道，导通方式:增强型，适用频率:中频。
