场效应功率管工作电压,功率场效应晶体管的工作原理
设计大功率FET放大器电路可以选择多个输出晶体管并联工作，通过增加输出电流来提高输出功率。VDDS是击穿电压，场效应晶体管的电压不应超过VDDS，在实际使用中，应保持工作电压，并且最低工作电压，功率晶体管的饱和导通电压相对较小，大功率晶体管的uces存在，而功率场效应的饱和导通电压略大，通常udss存在。可有一个问题，电压太低了，最高工作电压是，封装:TO-特性:低功率MOSFET的电气参数:，对于一般的增强型MOSFET来说，简直是小菜一碟，而且很容易就能达到这个水平。相反，很难买到低功耗MOSFET，...
更新时间：2024-11-07标签： 电压功率效应VDDS导通 全文阅读