设计大功率FET放大器电路可以选择多个输出晶体管并联工作，通过增加输出电流来提高输出功率。VDDS是击穿电压，场效应晶体管的电压不应超过VDDS，在实际使用中，应保持工作电压，并且最低工作电压，功率晶体管的饱和导通电压相对较小，大功率晶体管的uces存在，而功率场效应的饱和导通电压略大，通常udss存在。
可有一个问题，电压太低了，最高工作电压是，封装:TO-特性:低功率MOSFET的电气参数:，对于一般的增强型MOSFET来说，简直是小菜一碟，而且很容易就能达到这个水平。相反，很难买到低功耗MOSFET，因为人太少了。Mos晶体管是ZVS的核心，也是ZVS最重要的组成部分之一。晶体管的选择往往与电路的效率、工作电压、最大功率和续航能力有关，因此根据电源选择合适的MOS晶体管非常重要。
功率场效应晶体管的参数为:硅、、、RDS（on）≤也是功率场效应晶体管。参数:硅的参考电压、、RDS（on）=，没有电压可能是:集电极电流（IC）:脉冲集电极电流（ICM）:集电极-发射极电压（VCES）:栅极-发射极电压，下列场管很少见。电源，过低电压的影响也可能是由。
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