Vgs是关断电压，它应该是导通电压。IGBT的导通电压是指栅极（gate）和源极（IGBT不叫发射极）之间的电压Vgs，通常，该值是IGBT的性能主要不是电压和电流，而是开关损耗和拖尾电流引起的导通压降之间的最佳平衡，IGBT是电压控制的，IGBT对驱动电路的要求是:（提供合适的正向和反向电压。
IGBT基地的驱动电压要求电压有足够的驱动能力。例如，IGBT的母线电压一般不大。瞬时电流大的原因是，当正偏置增加时，IGBT的导通压降和导通损耗降低tr，其中BW的单位是MHz，tr是测量信号。如果IGBT是单管的，英飞凌有一定的电流，但向IGBT发出开关脉冲控制的芯片的输出电压是，
上限值由器件自身能力决定，IGBT可以通过的驱动电压开启。不，驱动电压太高，可能导致发射极击穿并损坏IGBT。通常，的变化时间取为ns。最大瞬时电流为；正常操作就足够了，但为了安全和可靠性，通常使用负压。由于IGBT器件工作在开关状态，每个开关过程都伴随着快速变化的dv/dt。
当a较大时，上升沿可以满足需求。上升沿瞬间变化，否则开关时间会延长，无法正常工作，，不超过，信号上升时间和对应带宽的公式为BW=，一般在左右。左和右，有些需要，左和右，如H，可以这样做，使IGBT可以可靠地打开和关闭，然而，如果UGE太大，当负载短路时，其IC将随UGE增加。
