普通晶闸管的关断时间为多少，kp600a晶闸管和kk800a晶闸管能代换吗

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本文目录一览

1，kp600a晶闸管和kk800a晶闸管能代换吗
2，快速晶闸管什么损耗最大
3，晶闸管关断过程trr时间段里为什么有一段电压增长变平缓了
4，快速晶闸管的简介
5，可控硅关断时间一般是多少
6，关于晶闸管
7，简述晶闸管的关断时间定义
8，GTO和普通晶闸管同为PNPN结构为什么GTO能够自关断而普通晶

1，kp600a晶闸管和kk800a晶闸管能代换吗

KP600A晶闸管和KK800A晶闸管不能代换。因为它们是不同类型的晶闸管，KP600A是普通晶闸管，关断时间比较长，一般为几百微秒，适合工频应用场合。而KK800A晶闸管是快速晶闸管，关断时间一般为几十微秒，适合中频应用场合。

应该不能吧。

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2，快速晶闸管什么损耗最大

通态峰值。快速晶闸管的通态峰值电压明显高于同规格的普通晶闸管，其通态损耗也明显大于同规格的普通晶闸管。可以在400Hz以上频率工作的晶闸管。视电流容量大小，其开通时间为4至8微秒，关断时间为10至60微秒。主要用于较高频率的整流、斩波、逆变和变频电路。

快速晶闸管什么损耗最大

3，晶闸管关断过程trr时间段里为什么有一段电压增长变平缓了

晶闸管关断过程，trr时间段里为什么有一段电压增长变平缓了，时间长了肯定会平缓的。

重刷系统，如果没说错，你那机器是内置卡贴机。

他是一个非常高雅的一个过程和一个反复程序的理论。

那东西一般锻炼的话里面就不会有一些

经查，管你过程中Dr.时间段就为什么有一段电平变平稳的是不是坏了呀，找专门的人去帮你看看吧。

晶闸管关断过程trr时间段里为什么有一段电压增长变平缓了

4，快速晶闸管的简介

可以在 400Hz以上频率工作的晶闸管。视电流容量大小，其开通时间为4～8微秒，关断时间为10～60微秒。主要用于较高频率的整流、斩波、逆变和变频电路。快速晶闸管是一个PNPN四层三端器件，其符号与普通晶闸管（见逆阻晶闸管）一样，它不仅要有良好的静态特性，尤其要有良好的动态特性。快速晶闸管的动态参数要求为开通速度和导通扩展速度快，反向恢复电荷少,关断时间短，通态电流临界上升率(dI/dt)及断态电压临界上升率 (dV/dt)高。通态电流临界上升率是在规定条件下，器件从断态转入通态时，对晶闸管不产生有害影响的最大通态电流上升率；断态电压临界上升率是在规定条件下，器件从断态不致转向通态的最大断态电压上升率。快速晶闸管在额定频率内其额定电流不随频率的增加而下降或下降很少。而普通晶闸管在 400Hz以上时，因开关损耗随频率的提高而增大，并且在总损耗中所占比重也增加，所以，其额定电流随频率增加而急速下降。

5，可控硅关断时间一般是多少

看系列，工业用kp ，kk ，ka 的可控硅我都用，ka的关断时间我用的在7微妙左右kk的长点，kp的没注意过一般也不要求，

可控硅有通断条件如下所示：1、导通条件：2、关断条件：可控硅晶闸管，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个pn结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。

一般是几毫秒。

那要看你的需要了。一般用于工频控制的话，理论上是0~20mS，实际应该在0.1~19.9mS没有问题。

6，关于晶闸管

晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出世界上第一晶闸管产品，并于1958年使其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。晶闸管的种类晶闸管有多种分类方法。（一）按关断、导通及控制方式分类晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。（二）按引脚和极性分类晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。（三）按封装形式分类晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。（四）按电流容量分类晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常，大功率晶闸管多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。（五）按关断速度分类晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频（快速）晶闸管。晶闸管的工作原理晶闸管T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。晶闸管的工作条件： 1. 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于关断状态。 2. 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。 3. 晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。 4. 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。从晶闸管的内部分析工作过程：晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图1，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2 当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导通，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门机电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0, 晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和： Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0 若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig 从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3，当a1和a2随发射极电流增加而（a1+a2）≈1时，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时，流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。式（1—1）中，在晶闸管导通后，1-（a1+a2）≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后，门极已失去作用。在晶闸管导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-（a1+a2）≈0时，晶闸管恢复阻断状态。可关断晶闸管GTO（Gate Turn-Off Thyristor）亦称门控晶闸管。其主要特点为，当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。前已述及，普通晶闸管（SCR）靠门极正信号触发之后，撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断，必须切断电源，使正向电流低于维持电流IH，或施以反向电压强近关断。这就需要增加换向电路，不仅使设备的体积重量增大，而且会降低效率，产生波形失真和噪声。可关断晶闸管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR），只是工作频纺比GTR低。目前，GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件，其结构及等效电路和普通晶闸管相同，因此图1仅绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和，所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益，βoff，它等于阳极最大可关断电流IATM与门极最大负向电流IGM之比，有公式 βoff =IATM/IGM βoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大，说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然，βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。 1．判定GTO的电极将万用表拨至R×1档，测量任意两脚间的电阻，仅当黑表笔接G极，红表笔接K极时，电阻呈低阻值，对其它情况电阻值均为无穷大。由此可迅速判定G、K极，剩下的就是A极。 2．检查触发能力如图2(a)所示，首先将表Ⅰ的黑表笔接A极，红表笔接K极，电阻为无穷大；然后用黑表笔尖也同时接触G极，加上正向触发信号，表针向右偏转到低阻值即表明GTO已经导通；最后脱开G极，只要GTO维持通态，就说明被测管具有触发能力。 3．检查关断能力现采用双表法检查GTO的关断能力，如图2(b)所示，表Ⅰ的档位及接法保持不变。将表Ⅱ拨于R×10档，红表笔接G极，黑表笔接K极，施以负向触发信号，如果表Ⅰ的指针向左摆到无穷大位置，证明GTO具有关断能力。 4．估测关断增益βoff 进行到第3步时，先不接入表Ⅱ，记下在GTO导通时表Ⅰ的正向偏转格数n1；再接上表Ⅱ强迫GTO关断，记下表Ⅱ的正向偏转格数n2。最后根据读取电流法按下式估算关断增益： βoff=IATM/IGM≈IAT/IG＝K1n1/ K2n2 式中K1—表Ⅰ在R×1档的电流比例系数； K2—表Ⅱ在R×10档的电流比例系数。 βoff≈10×n1/ n2 此式的优点是，不需要具体计算IAT、IG之值，只要读出二者所对应的表针正向偏转格数，即可迅速估测关断增益值。注意事项：（1）在检查大功率GTO器件时，建议在R×1档外边串联一节1.5V电池E′，以提高测试电压和测试电流，使GTO可靠地导通。（2）要准确测量GTO的关断增益βoff，必须有专用测试设备。但在业余条件下可用上述方法进行估测。由于测试条件不同，测量结果仅供参考，或作为相对比较的依据。逆导晶闸管RCT(Reverse-Conducting Thyristir)亦称反向导通晶闸管。其特点是在晶闸管的阳极与阴极之间反向并联一只二极管，使阳极与阴极的发射结均呈短路状态。由于这种特殊电路结构，使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。例如，逆导晶闸管的关断时间仅几微秒，工作频率达几十千赫，优于快速晶闸管（FSCR）。该器件适用于开关电源、UPS不间断电源中，一只RCT即可代替晶闸管和续流二极管各一只，不仅使用方便，而且能简化电路设计。逆导晶闸管的符号、等效电路如图1(a)、(b)所示。其伏安特性见图2。由图显见，逆导晶闸管的伏安特性具有不对称性，正向特性与普通晶闸管SCR相同，而反向特性与硅整流管的正向特性相同（仅坐标位置不同）。逆导晶闸管的典型产品有美国无线电公司（RCA）生产的S3900MF，其外形见图1(c)。它采用TO-220封装，三个引出端分别是门极G、阳极A、阴极K。S3900MF的主要参数如下：断态重复峰值电压VDRM：＞750V 通态平均电流IT（AV）：5A 最大通态电压VT：3V（IT=30A）最大反向导通电压VTR：＜0.8V 最大门极触发电压VGT:4V 最大门极触发电流IGT:40mA 关断时间toff:2.4μs 通态电压临界上升率du/dt:120V/μs 通态浪涌电流ITSM:80A 利用万用表和兆欧表可以检查逆导晶闸管的好坏。测试内容主要分三项： 1．检查逆导性选择万用表R×1档，黑表笔接K极，红表笔接A极（参见图3(a)），电阻值应为5～10Ω。若阻值为零，证明内部二极管短路；电阻为无穷大，说明二极管开路。 2．测量正向直流转折电压V（BO）按照（b）图接好电路，再按额定转速摇兆欧表，使RCT正向击穿，由直流电压表上读出V（BO）值。 3．检查触发能力实例：使用500型万用表和ZC25-3型兆欧表测量一只S3900MF型逆导晶闸管。依次选择R×1k、R×100、R×10和R×1档测量A-K极间反向电阻，同时用读取电压法求出出内部二极管的反向导通电压VTR（实际是二极管正向电压VF）。再用兆欧表和万用表500VDC档测得V（BO）值。全部数据整理成表1。由此证明被测RCT质量良好。注意事项：（1）S3900MF的VTR＜0.8V，宜选R×1档测量。（2）若再用读取电流法求出ITR值，还可以绘制反向伏安特性。 ①一般小功率晶闸管不需加散热片，但应远离发热元件，如大功率电阻、大功率三极管以及电源变压器等。对于大功率晶闸管，必须按手册申的要求加装散热装置及冷却条件，以保证管子工作时的温度不超过结温。 ②晶闸管在使用中发生超越和短路现象时，会引发过电流将管子烧毁。对于过电流，一般可在交流电源中加装快速保险丝加以保护。快速保险丝的熔断时间极短，一般保险丝的额定电流用晶闸管额定平均电流的1.5倍来选择。 ③交流电源在接通与断开时，有可能在晶闸管的导通或阻断对出现过压现象，将管子击穿。对于过电压，可采用并联RC吸收电路的方法。因为电容两端的电压不能突变，所以只要在晶闸管的阴极及阳极间并取RC电路，就可以削弱电源瞬间出现的过电压，起到保护晶闸管的作用。当然也可以采用压敏电阻过压保护元件进行过压保护。可控硅的使用注意事项选用可控硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。 1、选用可控硅的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。 2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时，应立即更换。 3、严禁用兆欧表（即摇表）检查元件的绝缘情况。 4、电流为5A以上的可控硅要装散热器，并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅管心接触良好，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好的散热。 5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。 6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。

7，简述晶闸管的关断时间定义

晶闸管导通条件：门极G加触发信号，主端子A、K之间加正向电压，且使得主端子间的正向电流大于擎住电流。关断的条件：使主端子间的正向电流小于维持电流。晶闸管的关断方法：减小主端子A、K之间之间的正向电压，直至为零，或加反向电压；也可以利用储能电路强迫关断。扩展资料；晶闸管的工作条件：1、晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于关断状态。2、晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。3、晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。4、晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。参考资料来源：百度百科-晶体闸流管

晶闸管导通条件：门极G加触发信号，主端子A、K之间加正向电压，且使得主端子间的正向电流大于擎住电流。关断的条件：使主端子间的正向电流小于维持电流。晶闸管的关断方法：减小主端子A、K之间之间的正向电压，直至为零，或加反向电压；也可以利用储能电路强迫关断。

8，GTO和普通晶闸管同为PNPN结构为什么GTO能够自关断而普通晶

GTO能够自关断，而普通晶闸管不能的原因：尽管GTO与普通单向晶闸管的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通单向晶闸管在导通之后即处于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和状态。所以，在可关断晶闸管的门极上加负向触发信号后，通态电流开始下降，使管子不能维持内部电流的正反馈。此过程经过一定时间后，GTO即可关断。扩展资料1、GTO，门极关断晶闸管：是一种通过门极来控制器件导通和关断的电力半导体器件，既保留了普通单向晶闸管耐压高、电流大的特性，又具备了自关断能力，且关断时间短，不需要复杂的换向电路，工作频率高，使用方便，但对关断脉冲信号的脉冲功率和门极负向电流的上升率要求较高。2、SCR，普通晶闸管：它有三个极：阳极，阴极和门极; 晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，普通晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，普通晶闸管关断。参考资料：普通晶闸管---百度百科GTO（可关断晶闸管）---百度百科

GTO不是单一的PNPN结构，二是是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，在其共同作用下实现关断功能。晶闸管是一种开关元件，能在高电压、大电流条件下工作，是典型的小电流控制大电流的设备。晶闸管导通条件为：加正向电压且门极有触发电流。下图为晶闸管的符号，结构，等效电路示意。从晶闸管等效电路看其导通过程：1. 触发电流 Ig 形成 T2 的 Ix2 电流，使 T2 导通；2. T2 导通形成的远大于 Ig 的 Ix1 电流，使 T1 导通；3. T1 导通产生的远大于 Ix1 的电流 Ic1，使 Ix1 大大增强；4. 上述过程相互作用，这时即使撤销 Ig ，最后最后仍能使T1,T2进入饱和导通状态。从晶闸管的导通过程看，要使晶闸管退出导通，可有两个途径：一是撤销 A K 间的正向电压；二是在 P2，N2 之间如下图所示施加一个反向电流（电压）。由于在导通状态下，流经N2的电流就是晶闸管的负载（工作）电流，要在上边加一个反向电流，无论从负载的角度，还是触发的角度看，普通晶闸管都是难以实现的。所以，普通晶闸管只能通过触发电流导通，不能通过反向触发关断。GTO是可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor)的简称。它具有普通晶闸管的全部优点，如耐压高，电流大等。同时它又是全控型器件，即在门极正脉冲电流触发下导通，在负脉冲电流触发下关断。GTO与普通晶闸管的相同点在于：都是PNPN四层半导体结构，外部引出阳极，阴极和门极。GTO与普通晶闸管的不同点在于：GTO是一种多元的功能集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起。下面是 GTO的内部结构和电气图形符号。其中：(a)各单元的阴极、门极间隔排列的图形(b)并联单元结构断面示意图。GTO实现关断的原理见上面的“关断等效电路”；实现关断的要点在于：1. 通过功能集成使晶闸管导通时处于临界饱和状态，便于退出饱和状态；2. 通过功能集成将关断过程分解为多个关断过程的集合（可理解为关断n个小电流的晶闸管）。

答：GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益1 a 和2 a ，由普通晶闸管的分析可得， 1 a + 2 a =1 是器件临界导通的条件。1 a + 2 a ＞1，两个等效晶体管过饱和而导通； 1 a + 2 a ＜1，不能维持饱和导通而关断。GTO 之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：1) GTO 在设计时2 a 较大，这样晶体管V2控制灵敏，易于GTO 关断；2) GTO 导通时的1 a + 2 a 更接近于1，普通晶闸管1 a + 2 a 3?1.15，而GTO 则为1 a + 2 a ?1.05，GTO 的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件；3) 多元集成结构使每个GTO 元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。

1.GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益1 a 和2 a ，由普通晶闸管的分析可得， 1 a + 2 a =1 是器件临界导通的条件。1 a + 2 a ＞1，两个等效晶体管过饱和而导通； 1 a + 2 a ＜1，不能维持饱和导通而关断。2.GTO 之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：1) GTO 在设计时2 a 较大，这样晶体管V2控制灵敏，易于GTO 关断；2) GTO 导通时的1 a + 2 a 更接近于1，普通晶闸管1 a + 2 a 3?1.15，而GTO 则为1 a + 2 a ?1.05，GTO 的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件；3) 多元集成结构使每个GTO 元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。3.实现关断的要点在于：（1）通过功能集成使晶闸管导通时处于临界饱和状态，便于退出饱和状态；（2）通过功能集成将关断过程分解为多个关断过程的集合（可理解为关断n个小电流的晶闸管）。拓展资料：1.晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又被称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和控制极；晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。2.晶闸管导通条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。3.晶闸管（Thyristor）是一种开关元件，能在高电压、大电流条件下工作，并且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中，是典型的小电流控制大电流的设备。1957年，美国通用电器公司开发出世界上第一个晶闸管产品，并于1958年使其商业化。参考资料：搜狗百科：晶闸管

pnpn结构是简单的晶体结构,如三极管也是,而gto有触发导通角