，Idss》》，VdsS》具有较低的导通电压。在MOS晶体管中，D代表漏极，S代表源极，VDS代表漏源电压，MOS晶体管是电压驱动的，所以只要栅极电压达到导通电压就可以导通DS是合理的，栅极串的任何电阻都可以导通，一般来说，市场上最常见的是增强型N型通信MOS晶体管，你可以用一个电压来控制G的电压，MOS晶体管的导通电压一般在。
参数:漏源电压（D和S两端的电压）、工作电流（通过MOS晶体管的电路）和导通电压（导通MOS晶体管的G）。输入电压可用于计算导通时间。因为MOS的导通电阻很小，所以压降可以忽略不计。LED的压降被抑制。MOS管是电压控制器件，即需要电压控制G引脚来控制管电流。快速判断方法:箭头从P指向N，取决于箭头尖端所指的极性是N还是P .对于N，G在极低电压下打开，对于P，G在高电压下打开。
根据反射电压来控制开关频率，但是如果要求开关频率高，则栅极到地或VCC可以被视为电容器。对于电容器来说，串的电阻越大，栅极达到导通电压所需的时间越长。反射电压持续时间，计算，发光管电流，（对于单管，我认为栅极电压较低，一般应该在，谈谈我的看法:当MOS管电压上升到A点时，在此电压下，MOS管的夹断电阻仍然比较大，因此输出仅为，
你加在栅极上的电压只有，场效应晶体管的作用主要包括信号转换和控制电路的通断。这里我们解释MOS晶体管作为开关晶体管的使用，详解:MOS管首先要判断是PMOS还是NMOS。当导电时，如果电子管由正电荷形成，则为PMOS管；如果电子管由负电荷形成，则为NMOS管，需要给栅极施加足够的电压，使其充分发挥开关作用。
