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芯片 死区时间,死区生成芯片

来源:整理 时间:2025-05-09 23:14:11 编辑:亚灵电子 手机版

空载时间可用且可调。使用公式计算控制死区时间,DT是空载时间持续时间,TDTS是系统时钟周期持续时间,Tdtg是空载时间设置时间步进值乘以系统时钟周期持续时间,死区时间需要考虑寄生二极管的影响,在设定移相全桥的死区时间时应考虑寄生二极管的影响。死区时间是为了防止H桥或半H桥的上管和下管在PWM输出时由于开关速度问题而同时导通而设置的保护期。

 死区时间,死区生成芯片

南因此,根据第一个公式,停滞时间可以取为,ReverseRecoveryTime是反向恢复时间;场效应晶体管没有死区,对吗?你说的是场效应驱动器吗?它有死区,比如半桥驱动器。含义如下:Deadtime是一个片内振荡器。首先,它取决于开关电源的输出电流。IGBT电流越大,停滞时间越长。第二,它取决于IGBT驱动器的设计。如果门级关断电阻过大,关断尾时间越长,死区时间也越长。第三个IGBT应选择推荐的开关频率。

通常也指pwm响应时间。使用示波器或其他仪器测量IGBT的开启延迟时间和关闭延迟时间,并注意不同的集电极电流和温度条件,TDTS=在计时器时钟下,根据相关的公开信息,超级前臂或滞后臂的上下管、打开和关闭之间的间隔以及移相全桥电源在每个周期都可用。电影简介:女儿的失踪让他的父亲对罪犯感到极度内疚,他的厌恶影响了他的一生,另一方面,他的女儿自己也不知所措。

文章TAG:死区二极管设置时钟寄生

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