Mosfet不需要驱动电路。电压和电流太小，芯片无法驱动，例如，dsp的输出只能控制通断，从而可以调制mos管中的id电流，此外，mos管在开关时需要充电和放电（虽然mos是电压驱动器件，但由于结电容的存在，这些电容需要充电才能有驱动电压），mos晶体管驱动电阻导通时间大的原因有以下几点:RC时间常数:在驱动电路中，驱动电阻和驱动电容之间形成一个RC并联网络。
通道MOS驱动电路。驱动mosfet或igbt至少需要。无刷DC电机一般采用全桥驱动，即第二种全桥驱动是由。此外，MOSFET在线性区的压控电阻特性也可用于取代集成电路中传统的多晶硅多电阻。这是一个电机驱动电路，其中MOS管充当开关。较大的驱动电阻将增加RC时间常数，这将导致电荷注入或电荷提取的速度较慢，从而延长MOS晶体管的导通时间。
MOS晶体管驱动电路MOS晶体管分为两种类型:N沟道和P沟道。n沟道用于控制电源的负极，P沟道用于控制电源的正极。它们之间的直接控制信号电压也存在差异。N-MOS，电路结构简单。这是两个N沟道增强型CMOS晶体管。向它们的栅极施加正电压将形成导电沟道，MOS晶体管的漏极-源极处于低阻状态，这相当于开关被接通，电机旋转。
因为这种电子管的输入电阻非常大。对于NMOS，当栅极和源极之间的电压超过某个电压阈值时，它将导通，而PMOS则相反，此外，由于其结构，MOSFET没有BJT的一些致命缺点，如热失控。我不太明白你提问的意思MOSFET分别构成上臂和下臂，并由MCU的具有推挽输出的IO端口控制。
