占空比和输出DC电压之间的关系是输出电源电压和占空比的乘积。您担心通电时电压幅值满的情况，个人认为理论上是可以的，因为上电开始时脉冲振荡还没有建立，有可能瞬间输出高电平，也就是占空比为，原理:首先，VOR（反射电压）和输入整流DC最小电压（Vmin）决定了占空比，在功率参数不变的情况下，电压越高，输入电流越高。
可控硅调压系统的输出电压与占空比无关。因此占空比无法控制其输出电压。占空比的间隙时间越多，首先你的回合比决定了占空比。如果你的匝数比是错误的，占空比是错误的。较低的输出占空比可能会降低成膜速度。然而，过高的输出占空比可能会导致材料过热和熔化。可控硅是一种半控整流器件。打开后，无论您的控制电压是高还是低，它都将继续打开，直到您的电压反转。
较高的输出占空比意味着电子束长时间开启，这将增加电子束对工件表面的能量输入时间，并提高成膜速度。此外，在校正下，当并网时，逆变器的输出电压在稳态下实际上是恒定的，逆变器的输出电压与电网电压的频率、相位和幅值相同，输出的平均电压较低。改变占空比旨在改变开关管（如IGBT和MOSFET）的导通和关断，从而控制能量的流动。
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