没有这种说法，mos导通电压一般在，高压mos晶体管电压一般在，mos晶体管饱和电压一般在，导通电压的种类一般在。阈值电压受对比偏置效应，即衬底偏置电势的影响，0.5微米工艺水平的一阶mosspice模型的标准阈值电压为nmos，通过不同的电流，同一mos晶体管的栅极电压也不同，mosfet的驱动电压通常高于Si的驱动电压。
mos管的极间电容相对较大。为了使mos管的开关速度快并降低功耗，需要对栅极进行快速充电和放电，驱动电路用于此目的。OS的导通电压并不是最合适的电压，但应根据您的方案选择合适导通电压的mos晶体管，例如pmos为负，左右，低压mos晶体管存在，G的电压为r .具体可根据相应的规格进行选择。不要盲目，当它导通时，驱动电路应该能够提供足够的充电电流使MOSFET的栅极和源极之间的电压迅速上升到所需的值，以确保开关晶体管能够快速导通并且没有上升沿的高频振荡。
在m工艺中，PMOS的阈值电压约为1000-1000伏，NMOS较小。或许，过驱电压等于Vgs减去Vth，电阻很小，可以忽略不计，因此MOS的栅极电压约为m，PMOS的阈值电压可能只有-左右，NMOS更小。也许，不同反应速度的MOS管的反应速度比不同反应速度的MOS管慢，工艺越先进，阈值电压越小，例如。
