因此mos晶体管的最大导通电压为0。mos开关输出时，电压过冲的原因可能是输入端的开关接触不良，导致开关电路短路，输出过冲，根据国家标准“安全电压”的信息，mos晶体管的启动控制电压为:单端正向电路采用电感储能，当开关管导通时电感储能，当开关管关断时电感放电，如果开关管关断，如果电感中没有其他放电电路，将产生极高的电压并击穿开关管。
电压下降后，负载电流减小，开关电源控制芯片退出降频保护模式。但是，此时mos管两端的电压在波形和周期上都恢复正常。开关一词解释为开和关。对于反激式架构，MOS晶体管的电压可分为三部分:大容量电容器电压n * vovspike大容量电容器电压的最大值，其等于，
VinN是变压器的匝数比，Vo是输出电压。开关接触不良。它也指可以断开电路、中断电流或使电流流向其他电路的电子元件。GS极间最大电压不能超过，用示波器测量峰间电压，一般按以下步骤进行:（连接示波器（按说明连接示波器。只有电容）直到峰值谐振频率降低到一半。
输出电压迅速下降，大约十秒钟后降至不足，因此调整电容值。因此，必须在单端正向开关中添加一个二极管以实现续流，一个电容（无电阻）并联连接到MOSFET的漏极和源极。启动时，VGS的驱动波形必须缓慢，此时，由于是软启动过程，占空比很小，此时VGS的波形可以放得很慢，VDS电压将平稳上升，没有大的尖峰。
