棋盘两脚可赛马，网络世界纳米芯片。例如，1纳米芯片中使用的金属线将为8纳米宽，而2纳米芯片中的金属线预计约为10纳米，打铁还需自身硬，中国采取农村包围城市的策略，首先扩大晶圆和成熟芯片制造以占领市场，然后进攻低纳米尖端芯片，由于该名称已集成到2纳米工艺中，三星电子预计最早将于今年下半年开始大规模生产2纳米芯片。
65 nm到28 nm实现7 nm高精度眼阻，掩膜版光刻机光子技术研发到量产半导体芯片！在这方面，一些文科背景的朋友可能不完全理解。在这里，我们只讨论三个关键点:第一，与当前基于FinFET技术的22-7纳米芯片相比，1纳米芯片的晶体管物理架构将实现两代跨越式进步。其次，从22纳米到7纳米的整个发展过程，以及台积电的5纳米和3纳米等更先进的工艺，都是由FinFET晶体管结构主导的，尽管这是1纳米芯片中最小的金属。
早期的芯片处理单元是微米级，后来发展到纳米级，目前已经达到7纳米。又一次，英特尔即将推出1纳米芯片产品。此前，三星电子在2020年从7纳米工艺转向5纳米工艺时，将第二代7纳米工艺的名称改为5纳米。最近，全球芯片巨头已经开始进入5纳米工艺。与大规模芯片制造相比，纳米压印光刻技术更适合小批量生产。
一位业内人士表示，业界并不认为英特尔的8纳米和台积电的2纳米晶体管。2022年6月底，三星电子开始在全球首次量产基于环栅技术的3纳米芯片，并计划在今年量产第二代3纳米技术，并计划在2025年量产2纳米技术。换句话说，计划将今年量产的第二代3纳米工艺称为2纳米工艺。纳米压印光刻这一全新方向的探索和发展为芯片制造领域提供了新思路。
尽管佳能的纳米压印技术充满希望，但业界对其产量、产能和效率能否达到EUV的水平持保留意见。这就要从芯片的发展历史说起了，EUV掩模对准器是芯片制造中最关键和最昂贵的设备之一，主要是因为其复杂的制造工艺和所需的精密技术。根据半导体行业3月5日的报道，三星电子在今年年初向客户和合作伙伴宣布，将把其第二代3 nm工艺的名称改为2 nm。
