在相同的开关速度和开关频率下，mos管的关断损耗会增加，因此mos管的温度也会变高。在实际电路中，需要注意开关管关断时可能出现的电压尖峰，可以通过RCD吸收电路或其他方式进行吸收，据推测，H桥mos开关振荡导致尖峰，尖峰传导至电流检测电阻和adc，导致芯片切断20v输出，使笔记本电压高于设备电压，从而导致反冲电，后续注意事项:1，英国集成芯的快充芯片并不完美，硬件和软件一直在更新。开发需要获得最新的硬件和软件版本，2.如果在mos中使用pwm，有必要测试波形是否为方形，否则很可能导致MOS烧坏，俗。
为什么漏电感会影响mos的温度？问:如何解决电感引起的浪涌电压？首先，使用绿色波纹电阻器作为负载进行测试。TMD被这个电阻棒坑了两次，电阻值6实际上加上了6uh的电感值，导致继电器一旦断开两侧的反向电压很大。5v升压锂电池高效充电管理集成电路。我亲切的感觉到V = L *（di/dt），200v时有接近700v的峰值脉冲，这是mos根本承受不了的。
OVP过压保护可以有效抑制芯片在输入峰值电压和输入电压超过5V时停止工作，从而防止芯片损坏。有效措施:用示波器测试电感两端的波形，发现打孔手机的波形正常，打孔笔记本的波形出现如图所示的峰值。调整rc位置，将H桥mos的电阻增加10r，峰值降低，功率正常。原因是什么？RCD白白吸收了漏电感的能量，同时会使Mos管的温度更高。
去英吉鑫原厂调试又是一天。这是一款为亚马逊卖家开发的60w快充启动电源，测试过程中发现，该设备可以正常给手机充电，但给笔记本充电时无法充电。相反，笔记本的电量会反冲到启动电源，反向并联的二极管尽可能靠近电感，因此原电感感应的反电动势将沿其他低阻抗电路消失。图中红色是鞭炮或者电容，600V/10000uf（商家说实际容量只有700，我觉得不是7000），电容串联增加耐压降低电容，如果按7000uf计算，7000/3=uf，但实际上用电桥测量只有1378uf。当电容器通电时，它相当于短路，但线路上有阻抗，继电器一开就有他妈的100 A以上的电流，一万多块高频电流探头他妈的最多只能测出30A。我想戴一个采样电阻来测量电流，结果一开机就炸了几个电阻，我在纸上写了电感带来浪涌电压，电容带来浪涌电流。这些都是辛苦的记忆，疯狂烧mos，疯狂爆电阻，烧电阻等等。
