因此，mos晶体管的最大导通电压为，根据国家标准安全电压的信息，mos晶体管的导通和关断电压为，使用P沟道晶体管时，您只需记住几件事:当栅极（G）的电压小于漏极（D）的电压时，导通电压在指数值上近似相等。p沟道耗尽型mos晶体管处于恒流区，条件可变电阻区域是栅极电压已经超过第Th阈值但尚未完全导通的阶段，即米勒阶段，恒流区指的是栅极电压已经过米勒级的阶段。
可变电阻区（也称为不饱和区）满足Ucs》Ucs（th）（导通电压）。MOSFET的阈值电压V是当金属栅极下的半导体表面存在强反型时需要增加的栅源电压，从而出现导电沟道。在低电平下，pmos的VGS的绝对值很大，NMOS的VGS的绝对值很小，因此PMOS开启，NMOS关闭。仔细审题后:问题已经表明该管是P型MOS管。当使用导通电压UTP①求解基尔霍夫方程时，如果找到答案UAB =-，则该负号指向电压参考方向，表明实际电压降方向与参考方向相反。
（2）绝缘栅MOS管分为N沟道和P沟道。电压参考方向通常为N沟道MOS管，D接电源 ，S接电源-，引脚电压为U（DS）。高于此值（有些管子可以更低），管子开始导电。压差越大，G和S（源）之间的阻力越小，损失越小，但不会太大。当出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电性很弱。
此外，PMOS的VGS也是负的。当VGS的绝对值大于VTH的绝对值时，PMOS开始导通，GS极之间的最大电压不能超过0，PMOS: vth =-。PMOS连接电源更方便，P沟道MOSFET的用法:（栅极G在高电平D和S之间截止，栅极G在低电平D和S之间导通）栅极/基极（G）接控制信号，源极（S）接负载电源正极，漏极（D）接负载输入正极，负载输出负极直接接负载电源负极（模拟地）。
