场管用电压驱动这个阀门（栅极），实际效果是小电压值驱动（或转换成）大电流值。场效应晶体管的电压控制元件在开关时只需要从栅极吸收或释放电流，因此驱动损耗小，FET（FET是电压控制器件，通过UGS控制ID；场效应管的输入电流很小，所以它的输入电阻很大。
mosfet的驱动电压通常高于Si的驱动电压。问题是这个电路实际上保持P沟道FET导通。P沟道的驱动原理类似于PNP三极管的驱动原理。当基极电压低于发射极电压时，PNP三极管导通。同样，当P沟道FET的栅极（G）电压低于源极（S）电压时，FET导通。工作电压，大电流时增益太小，驱动电流太大。
小电压和大电流的比值就是放大倍数，场管中称为“跨导”的单位称为“西门子”。由于MOS的导通电阻很小，压降可以忽略不计，LED的压降可以根据相应的规格进行选择。不要盲目。而且，在导通时，驱动电路应能提供足够的充电电流，使MOSFET的栅极和源极之间的电压快速上升到所需值，以确保开关管能快速导通，并且没有上升沿的高频振荡。
计算，LED电流，选择导通电压较低的Vdss》》，和venue irf，然后电阻R=，选择合适的单稳态电阻和电容元件，这些元件可以使离合器和制动器每秒坏一次，需要通过的峰值电流差不多，一般两组的驱动功率相同...如果有偏差，就会有影响。你可以测量满载时的温差...（它使用多数载流子导电，因此其温度稳定性很好。
