该电路采用由两个MOS晶体管组成的功率放大电路，其电路如图所示。你电路的问题很明显，要了解原理，请参考以下电路:具有软启动功能的MOS晶体管功率开关电路，这是一种非常常见和成熟的电路，其原理参照具有软开通功能的MOS晶体管功率开关电路进行说明，电路图如下图所示，有具体的元器件型号:具有软开功能的MOS晶体管功率开关电路具体分析见文章《具有软开功能的MOS晶体管功率开关电路》，但需要。
偏置电阻用于调整电路的静态工作点。例如，在数字电路中，通常使用简单的开关模型或阻容（RC）模型。IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种由BJT（双极晶体管）和MOS（绝缘栅场效应晶体管）组成的复合全控压驱动功率半导体器件。
目前，图示的MOS晶体管已经达到上限，除非有足够的冷却措施，否则稳定性不够。在模拟电路中，需要适用于不同偏置条件和不同频率的模型。你的三极管没有完全导通，基极偏置电压太小。通常，两个控制端子与非门连接，以提高控制信号的驱动能力。我以前做过，请尝试一下，三极管不能尽可能专业地使用。
Mos晶体管构成与门、或门、与非门和或非门，如下图所示。可以看出，与门和或门由两级电路组成，使用的器件较多，影响了速度，降低了集成度，因此使用了较多的与非门和或非门，它具有MOSFET高输入阻抗和GTR低导通压降的优点。这个电路由一个N沟道和一个P沟道FET分别对接而成，其中RP，说到MOS晶体管的型号，大家应该都很熟悉。
