电源E2通过开关S为IGBT提供UGE电压,电源E1通过R1为IGBT提供UCE电压。驱动芯片,驱动IGBT模块,IGBT在电路板的背面,短路时间是影响IGBT的一个重要参数,它与驱动电压、DC总线电压、集电极-发射极电压、结温和IGBT技术有关,由于N-IGBT主要用于电力电子设备中,下面将通过下图所示的电路来解释N-IGBT的工作原理。当开关S闭合时,在IGBT的G极和E极之间获得电压UGE。只要UGE电压大于导通电压,IGBT内部的NMOS管就会形成导电通道,NMOS管的D极和S极就会连接起来,为晶...
更新时间:2025-06-04标签: IGBT电压驱动电源E2 全文阅读