目前功率mosfet多采用垂直导电结构,增加了电流的有效面积,使其能够承受更大的电流。在使用MOSFET设计开关电源时,大多数人会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压和最大电流,GTR(巨型晶体管)具有高耐压、高电流和良好的开关特性,功率mosfet具有低掺杂的N区,由于其低掺杂浓度,它接近未掺杂的纯半导体材料,即本征半导体,因此它可以承受高电压。GTR具有以下优点:高耐压、大电流、良好的开关特性、强电流能力、由于降低的饱和电压而导致的低开关速度、电流驱动、大驱动功率、复杂的驱动电路和二次击穿问题。导通电...
更新时间:2024-09-02标签: 电流mosfet掺杂MOSFET电力 全文阅读