要解决这些问题，需要选择合适的MOS晶体管，保证驱动电压和控制端的电阻，并注意对续流二极管和电机线圈控制电路的保护。小功率无刷DC电机MOS管烧毁的原因控制小功率无刷DC电机MOS管烧毁的原因有很多，包括启动电流过大、上下桥臂直接连接、死区时间短、硬件故障不确定、控制算法不正确和死区保护不完善。
开机时，VCC通过R1-D2-C2-厘米形成的回路为自举C2充电。当高压侧上臂处于高电平时，CmC2形成的VCC电压接近电源电压的两倍，为后NMOS提供高压电源。LLC效率高的原因有三:首先，ZVS零电压开通是利用上下管的死区和漏电感的能量实现的，即驱动前这里有负电流。
外部元件的功能这是NN型输出的致命缺陷）:R限流电阻用于自举电路的电容充电。模块的VCC来自通过降压电路的外部24V电源。R2-R7是栅极驱动电阻，由被驱动元件和空载时间决定。Q2-Q6是高压大电流NMOS。因此，C2被称为自举电容器。没有这个电容，内部就无法形成高电压。没有高压，内部驱动会缺乏动力，导致后级的波形误差，混乱的逻辑必然导致驱动管的损坏。
D1-D3是自举电路的单向快速恢复二极管。C1-C3是高压自举电容，非常重要。因此，在输出管和高压侧的信号之间增加了一个NMOS驱动器，它也是NMOS。目前，选用品牌耐高压MLCC电容后，输出和输出MOS没有烧坏现象。驱动模块放大来自MCU的信号，MCU集成了硬件的直通和死区保护功能。
R8-R13是栅极分布电容的释放回路电阻，可以使输出MOS快速恢复，不能过大或过小。为了清楚地表达电路，本文对该图进行了分析。如图所示:这是一种由单片机构成的无刷DC电机技术。MCU的TTL逻辑电平通常只有0-5V，不足以驱动外部NMOS。当第一个MOS关断时，电流在峰值时没有关断，只有峰值的一半，因此关断损耗会相对较小。
实际上，这种引导非常重要。图中的元件功能如下，MCU提供程控FOC信号输出给驱动模块，同时接收来自BLDC的位置信息反馈进行处理。图腾柱采用NMOS驱动，而不是推挽式NMOSPMOS驱动。与PWM信号NMOS相比，NMOS在模拟信号推挽驱动方面更具优势，如有误解或偏差，希望大家积极讨论。我是本着交流学习的态度，而不是指指点点。
