当栅极电压为零时，如果有漏极电压，耗尽型晶体管就会有漏极电流。这类似于三极管，P沟道MOS的导通条件是栅极电压低于漏极电压，只有在栅极和源极加有超过mosfet的电压时，漏极-源极才能处于导通状态，它由VGS（栅极电压）和VDS（漏极电压）决定，地址-漏极-源极电压，当漏极电压Ud逐渐上升时，漏极附近的电压高，源极附近的低电压低，在图中P型半导体的水平水平上呈现由高到低的梯度分布，而栅极电压是绝缘栅极上的导体，电势分布均匀，因此在漏极附近存在较大的反向电压差（Ud-Ug）。
阈值电压不同。一般来说，栅极-源极电压是这样设计的。如果受到外部电压的影响，电子流将从源极流向漏极。漏极电流将增加，漏极电阻上的电压降将增加。电压运算放大器电源。因此，极性电容积累电荷并存储它们以形成电压。用于为栅极电压提供路径。其功能是在管关断后为栅极提供电极间电容器的放电电路，同时抑制栅极电位在没有栅极信号的情况下自行导通。
n沟道增强型场效应晶体管在使用时必须具有正的栅极电压，并且该电压大于一定值，该值称为“导通电压”。由于栅极的绝缘程度高，因此栅极具有电容特性。该栅极可以通过制造或消除源极和漏极之间的沟道来允许或阻碍电子的流动。在测量过程中，如果栅极被悬挂并通过空间电荷或感应电荷存储，或者栅极电容器被万用表充电。
体简单地指门和漏。如果是共源极连接（我猜这就是你说的），增强型MOS（分类太多了，假设它类似于结型晶体管）在其栅极电压增加时会增加其漏极电流，好吗？此时，N沟道晶体管开始导通，形成漏极电流ID。场效应晶体管的初始导通电压约为0，在场效应晶体管q的下端出现负电压。在漏极和源极之间有一个PN结。如果接通反向电压，漏极和源极之间的PN结就会导通，整个电子管就变成了二极管。
它由具有栅极、源极和漏极的三端电子元件组成。很明显，你的运算放大器电压有点低，建议选择它，当电阻R的源极通常接地时，这是一个具有电阻R、P和n的P型场效应晶体管。耐压越高，Usg越高，可以将栅极视为控制物理栅极的开关，场效应晶体管有两种类型:耗尽型和增强型。
