二极管的耐压必须高于峰值电压，交流电压峰值达到，峰值与过电压峰值不一样。MOS管不用于交流电压，因为MOS管的源极和漏极之间的雪崩电压通常只有几十伏，而vf，其中C是功率MOS管的cgs电容，V是功率管导通时的栅极电压，因此为了降低芯片的功耗，我们必须想办法降低C，V和F. N沟道MOS晶体管，如果它要导通，其Vgs电压必须大于阈值电压，一般来说。
应该是电感的反向峰值电压施加到MOS管的G极，所以尽量给G极增加保护措施，你也可以在D-S之间反向并联二极管。交流电压的导通角，晶闸管耐压达到，如果斩波频率高且输出有电容，则平均输出电压为，主题，此电路为降压电路，什么是降压电路就是降压电路。事实上，无论是走向全桥还是其他拓扑电路，当mos管关断时，它们都会因为变压器产生的反电动势而达到峰值！
电容越大，电阻越小，吸收越好，峰值越小，这也会导致效率下降。它比上管的栅极和源极之间的电极间电容大得多；驱动芯片的最大电流来自驱动功率MOS晶体管的消耗，简单的计算公式为:I=cvf。考虑到充电的电阻优势，实际I=，因此，在变压器的输入侧增加一个吸收电路是明智的！；输出电流由负载决定，最大输出电流与MOS管的参数和电源的输出特性有关。一般来说，如果输出负载恒定，欧姆定律表明输出电流为。
