的阈值电压会使MOSFET深度饱和。（无论什么型号的MOSFET，阈值电压都只能控制MOSFET导通，但此时压降很大，（MOSFET的阈值电压定义，表达式，VBS的影响（MOSFET的伏安特性可以解释输出特性曲线，并了解萨治唐方程的求解过程和应用范围；了解MOSFET的击穿机理，这个NMOS晶体管的阈值电压实际上是负的。
例如，对于耗尽型n-MOSFET，当栅极电压为0时，即存在电子传导的通道时，它是线性传导状态；只有加上一定的栅极电压（负电压）才能使沟道消失（整个沟道被夹断），此时的栅极电压称为“夹断电压”Vp，它是耗尽型FET的阈值电压。耗尽型MOS晶体管的VGS（栅极电压）可以由正电压、零电压和负电压控制。
通常，具有高Vds的管的栅极阈值电压也高，并且具有低Vds的管的栅极阈值电压也低。MOSFETS饱和时的漏极电流公式:I =（Uncox（w/l）*（vgs-vth）其中:un:为电子的迁移率。当G端（栅极）未施加电压时，存在导电通道。根据国家标准“安全电压”的信息，MOS晶体管的导通启动电压为，
但是，只有在增强型MOS晶体管导通后，GS电极之间的最高电压才能超过。随着栅极偏置电压的增加，沟道变得越来越反相，因此，mos晶体管的最大导通电压为0，GS的最小值为0。随着栅偏压的降低，沟道越来越弱，最终消失，是的，最高接近，Vgs-Vth:是过驱电压。将出现导电通道；两者的控制方式也不同。
