7700有多少晶体管，AMD Phenom X4 9650的晶体管数量有多少个晶体管

来源：整理时间：2024-02-02 23:14:59 编辑：亚灵电子网手机版

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1，AMD Phenom X4 9650的晶体管数量有多少个晶体管
2，i710700有多少晶体管
3，我想知道CPU晶体管数
4，cpu有多少晶体管
5，酷睿i7 6700K有多少晶体管
6，7700HQ集成了多少晶体管
7，现在最新的INTELnbspi7nbsp920一共有多少个晶体管
8，关于CPU的晶体管数量
9，gtx1080英伟达高配的显卡多少晶体管
10，三极管A940耐压值和参数是多少

1，AMD Phenom X4 9650的晶体管数量有多少个晶体管

晶体管 65纳米＝4.5亿个

AMD Phenom X4 9650的晶体管数量有多少个晶体管

2，i710700有多少晶体管

这要看你具体的应用领域，一般情况下的话，他大约应该是在30~40之间，这种情况的话是比较正常的，达到的效果也比较好。

i710700有多少晶体管

3，我想知道CPU晶体管数

E6550的晶体管数量为2.91亿Intel E8200晶体管数量为4.1亿

我想知道CPU晶体管数

4，cpu有多少晶体管

　　晶体管(transistor)是一种固体半导体器件，下面是我带来的关于 cpu 有多少晶体管的内容，欢迎阅读! 　　cpu有多少晶体管：　　1972年，英特尔发布了第一个8位处理器8008。1978年，英特尔发布了第一款16位处理器8086。含有2.9万个晶体管。1978年：英特尔标志性地把英特尔8088微处理器销售给IBM新的个人电脑事业部，武装了IBM新产品IBM PC的中枢大脑。16位8088处理器为8086的改进版，含有2.9万个晶体发布英特尔酷睿i7处理器管，运行频率为5MHz、8MHz和10MHz。8088的成功推动英特尔进入了财富(FORTUNE) 500强企业排名，《财富(FORTUNE)》杂志将英特尔公司评为“70年代商业奇迹之一(Business Triumphs of the Seventies)”。　　1982年：286微处理器(全称80286，意为“第二代8086”)推出，提出了指令集概念，即现在的x86指令集，可运行为英特尔前一代产品所编写的所有软件。286处理器使用了13400个晶体管，运行频率为6MHz、8MHz、10MHz和12.5MHz。1985年：英特尔386微处理器问世，含有27.5万个晶体管，是最初4004晶体管数量的100多倍。386是32位芯片，具备多任务处理能力，即它可在同一时间运行多个程序。　　1993年：英特尔·奔腾·处理器问世，含有3百万个晶体管，采用英特尔0.8微米制程技术生产。1999年2月：英特尔发布了奔腾·III处理器。奔腾III是1x1正方形硅，含有950万个晶体管，采用英特尔0.25微米制程技术生产。2002年1月：英特尔奔腾4处理器推出，高性能桌面台式电脑由此可实现每含30亿晶体管的GF110核心秒钟22亿个周期运算。它采用英特尔0.13微米制程技术生产，含有5500万个晶体管。　　2002年8月13日：英特尔透露了90纳米制程技术的若干技术突破，包括高性能、低功耗晶体管，应变硅，高速铜质接头和新型低-k介质材料。这是业内首次在生产中采用应变硅。2003年3月12日：针对笔记本的英特尔·迅驰·移动技术平台诞生，包括了英特尔最新的移动处理器“英特尔奔腾M处理器”。该处理器基于全新的移动优化微体系架构，采用英特尔0.13微米制程技术生产，包含7700万个晶体管。　　2005年5月26日：英特尔第一个主流双核处理器“英特尔奔腾D处理器”诞生，含有2.3亿个晶体管，采用英特尔领先的90纳米制程技术生产。2006年7月18日：英特尔安腾2双核处理器发布，采用世界最复杂的产品设计，含有2.7亿个晶体管。该处理器采用英特尔90纳米制程技术生产。2006年7月27日：英特尔·酷睿2双核处理器诞生。该处理器含有2.9亿多个晶体管，采用英特尔65纳米制程技术在世界最先进的几个实验室生产。　　2006年9月26日：英特尔宣布，超过15种45纳米制程产品正在开发，面向台式机、笔记本和企业级计算市场，研发代码Penryn，是从英特尔酷睿微体系架构派生而出。2007年1月8日：为扩大四核PC向主流买家的销售，英特尔发布了针对桌面电脑的65纳米制程英特尔酷睿2四核处理器和另外两款四核服务器处理器。英特尔酷睿2四核处理器含有5.8亿多个晶体管。　　制作：光刻蚀这是目前的CPU制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤，为什么这么说呢?光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕，由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格，需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜。刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程。设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量，而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步(每一步进行一层刻蚀)。而且每一层刻蚀的图纸如果放大许多倍的话，可以和整个纽约市外加郊区范围的地图相比，甚至还要复杂，试想一下，把整个纽约地图缩小到实际面积大小只有100个平方毫米的芯片上，那么这个芯片的结构有多么复杂，可想而知了吧。　　当这些刻蚀工作全部完成之后，晶圆被翻转过来。短波长光线透过石英模板上镂空的刻痕照射到晶圆的感光层上，然后撤掉光线和模板。通过化学方法除去暴露在外边的感光层物质，而二氧化硅马上在陋空位置的下方生成。掺杂在残留的感光层物质被去除之后，剩下的就是充满的沟壑的二氧化硅层以及暴露出来的在该层下方的硅层。这一步之后，另一个二氧化硅层制作完成。然后，加入另一个带有感光层的多晶硅层。多晶硅是门电路的另一种类型。由于此处使用到了金属原料(因此称作金属氧化物半导体)，多晶硅允许在晶体管队列端口电压起作用之前建立门电路。感光层同时还要被短波长光线透过掩模刻蚀。再经过一部刻蚀，所需的全部门电路就已经基本成型了。然后，要对暴露在外的硅层通过化学方式进行离子轰击，此处的目的是生成N沟道或P沟道。这个掺杂过程创建了全部的晶体管及彼此间的电路连接，没个晶体管都有输入端和输出端，两端之间被称作端口。

5，酷睿i7 6700K有多少晶体管

。。这么好奇吗？ i7 6700K晶体管数量 7.31亿啦。

酷睿i7 6700k晶体管数量：7.31亿。

6，7700HQ集成了多少晶体管

晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可100GHz以上。指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分。广义上，只要是使用微细加工手段制造出来的半导体片子，都可以叫做芯片，里面并不一定有电路。比如半导体光源芯片；比如机械芯片，如MEMS陀螺仪；或者生物芯片如DNA芯片。在通讯与信息技术中，当把范围局限到硅集成电路时，芯片和集成电路的交集就是在“硅晶片上的电路”上。芯片组，则是一系列相互关联的芯片组合，它们相互依赖，组合在一起能发挥更大的作用，比如计算机里面的处理器和南北桥芯片组，手机里面的射频、基带和电源管理芯片组。以下这篇文章和你一起学习，《芯片里面的几千万的晶体管是怎么装进去的？》，来自网摘。要想造个芯片, 首先, 你得画出来一个长这样的玩意儿给Foundry (外包的晶圆制造公司)　　(此处担心有版权问题… 毕竟我也是拿别人钱干活的苦逼phd… 就不放全电路图了… 大家看看就好，望理解！）　　再放大...　　我们终于看到一个门电路啦! 这是一个NAND Gate(与非门), 大概是这样:　　A, B 是输入, Y是输出.　　其中蓝色的是金属1层, 绿色是金属2层, 紫色是金属3层, 粉色是金属4层...　　那晶体管(更正, 题主的"晶体管" 自199X年以后已经主要是 MOSFET, 即场效应管了 ) 呢?　　仔细看图, 看到里面那些白色的点吗? 那是衬底, 还有一些绿色的边框? 那些是Active Layer (也即掺杂层.)　　然后Foundry是怎么做的呢? 大体上分为以下几步:　　首先搞到一块圆圆的硅晶圆, (就是一大块晶体硅, 打磨的很光滑, 一般是圆的)　　图片按照生产步骤排列. 但是步骤总结单独写出.　　1、湿洗(用各种试剂保持硅晶圆表面没有杂质)　　2、光刻 (用紫外线透过蒙版照射硅晶圆, 被照到的地方就会容易被洗掉, 没被照到的地方就保持原样. 于是就可以在硅晶圆上面刻出想要的图案. 注意, 此时还没有加入杂质, 依然是一个硅晶圆. )　　3、离子注入(在硅晶圆不同的位置加入不同的杂质, 不同杂质根据浓度/位置的不同就组成了场效应管.)　　4.1、干蚀刻 (之前用光刻出来的形状有许多其实不是我们需要的,而是为了离子注入而蚀刻的. 现在就要用等离子体把他们洗掉, 或者是一些第一步光刻先不需要刻出来的结构, 这一步进行蚀刻).　　4.2、湿蚀刻(进一步洗掉, 但是用的是试剂, 所以叫湿蚀刻).--- 以上步骤完成后, 场效应管就已经被做出来啦~ 但是以上步骤一般都不止做一次, 很可能需要反反复复的做, 以达到要求. ---　　5、等离子冲洗(用较弱的等离子束轰击整个芯片)　　6、热处理, 其中又分为:　　6.1、快速热退火 (就是瞬间把整个片子通过大功率灯啥的照到1200摄氏度以上, 然后慢慢地冷却下来, 为了使得注入的离子能更好的被启动以及热氧化)　　6.2、退火　　6.3、热氧化 (制造出二氧化硅, 也即场效应管的栅极(gate) )　　7、化学气相淀积(CVD), 进一步精细处理表面的各种物质　　8、物理气相淀积 (PVD),类似, 而且可以给敏感部件加coating　　9、分子束外延 (MBE) 如果需要长单晶的话就需要这个..　　10、电镀处理　　11、化学/机械表面处理然后芯片就差不多了, 接下来还要:　　12、晶圆测试　　13、晶圆打磨就可以出厂封装了.我们来一步步看:　　就可以出厂封装了.我们来一步步看:　　1、上面是氧化层, 下面是衬底(硅) -- 湿洗　　2、一般来说, 先对整个衬底注入少量(10^10 ~ 10^13 / cm^3) 的P型物质(最外层少一个电子), 作为衬底 -- 离子注入　　3、先加入Photo-resist, 保护住不想被蚀刻的地方 -- 光刻　　4、上掩膜! (就是那个标注Cr的地方. 中间空的表示没有遮盖, 黑的表示遮住了.) -- 光刻　　5、紫外线照上去... 下面被照得那一块就被反应了 -- 光刻　　6、撤去掩膜. -- 光刻　　7、把暴露出来的氧化层洗掉, 露出硅层(就可以注入离子了) -- 光刻　　　　8、把保护层撤去. 这样就得到了一个准备注入的硅片. 这一步会反复在硅片上进行(几十次甚至上百次). -- 光刻　　9、然后光刻完毕后, 往里面狠狠地插入一块少量(10^14 ~ 10^16 /cm^3) 注入的N型物质就做成了一个N-well (N-井) -- 离子注入　　　　10、用干蚀刻把需要P-well的地方也蚀刻出来. 也可以再次使用光刻刻出来. -- 干蚀刻　　11、上图将P-型半导体上部再次氧化出一层薄薄的二氧化硅. -- 热处理　　12、用分子束外延处理长出的一层多晶硅，该层可导电 -- 分子束外延　　13、进一步的蚀刻, 做出精细的结构. (在退火以及部分CVD) -- 重复3-8光刻 + 湿蚀刻13 进一步的蚀刻, 做出精细的结构. (在退火以及部分CVD) -- 重复3-8光刻 + 湿蚀刻　　14、再次狠狠地插入大量(10^18 ~ 10^20 / cm^3) 注入的P/N型物质, 此时注意MOSFET已经基本成型. -- 离子注入　　15、用气相积淀形成的氮化物层 -- 化学气相积淀　　16、将氮化物蚀刻出沟道 -- 光刻 + 湿蚀刻　　17、物理气相积淀长出金属层 -- 物理气相积淀　　18、将多余金属层蚀刻. 光刻 + 湿蚀刻重复 17-18 长出每个金属层哦对了... 最开始那个芯片, 大小大约是1.5mm x 0.8mm　　啊~~ 找到一本关于光刻的书, 更新一下, 之前的回答有谬误..　　书名: << IC Fabrication Technology >> By BOSE　　细说一下光刻. 题主问了: 小于头发丝直径的操作会很困难, 所以光刻(比如说100nm)是怎么做的呢?　　比如说我们要做一个100nm的门电路(90nm technology), 那么实际上是这样的:　　　这层掩膜是第一层, 大概是10倍左右的Die Size有两种方法制作: Emulsion Mask 和 Metal MaskEmulsion Mask:　　　　这货分辨率可以达到 2000line / mm (其实挺差劲的... 所以sub-micron ,也即um级别以下的 VLSI不用... )这货分辨率可以达到 2000line / mm (其实挺差劲的... 所以sub-micron ,也即um级别以下的 VLSI不用... )制作方法: 首先: 需要在Rubylith (不会翻译...) 上面刻出一个比想要的掩膜大个20倍的形状 (大概是真正制作尺寸的200倍), 这个形状就可以用激光什么的刻出来, 只需要微米级别的刻度.　　然后:　　　　给!它!照!相! , 相片就是Emulsion Mask! 给!它!照!相! , 相片就是Emulsion Mask! 如果要拍的"照片"太大, 也有分区域照的方法. Metal Mask:　　制作过程: 1、先做一个Emulsion Mask, 然后用Emulsion Mask以及我之前提到的17-18步做Metal Mask! 瞬间有种Recursion的感觉有木有!!!　　2、Electron beam:　　大概长这样　　制作的时候移动的是底下那层. 电子束不移动.　　就像打印机一样把底下打一遍.　　好处是精度特别高, 目前大多数高精度的(<100nm技术)都用这个掩膜. 坏处是太慢...　　做好掩膜后:　　Feature Size = k*lamda / NA　　k一般是0.4, 跟制作过程有关; lamda是所用光的波长; NA是从芯片看上去, 放大镜的倍率.　　以目前的技术水平, 这个公式已经变了, 因为随着Feature Size减小, 透镜的厚度也是一个问题了　　Feature Size = k * lamda / NA^2　　恩.. 所以其实掩膜可以做的比芯片大一些. 至于具体制作方法, 一般是用高精度计算机探针 + 激光直接刻板. Photomask(掩膜) 的材料选择一般也比硅晶片更加灵活, 可以采用很容易被激光汽化的材料进行制作.　　这个光刻的方法绝壁是个黑科技一般的点! 直接把Lamda缩小了一个量级, With no extra cost! 你们说吼不吼啊!　　Food for Thought: Wikipedia上面关于掩膜的版面给出了这样一幅图, 假设用这样的掩膜最后做出来会是什么形状呢?　　于是还没有人理Food for thought...　　附图的步骤在每幅图的下面标注, 一共18步.　　最终成型大概长这样:　　其中, 步骤1-15 属于前端处理 (FEOL), 也即如何做出场效应管　　步骤16-18 (加上许许多多的重复) 属于后端处理 (BEOL) , 后端处理主要是用来布线. 最开始那个大芯片里面能看到的基本都是布线! 一般一个高度集中的芯片上几乎看不见底层的硅片, 都会被布线遮挡住.　　SOI (Silicon-on-Insulator) 技术:　　传统CMOS技术的缺陷在于: 衬底的厚度会影响片上的寄生电容, 间接导致芯片的性能下降. SOI技术主要是将源极/漏极和硅片衬底分开, 以达到(部分)消除寄生电容的目的.　　传统:　　SOI:　　　制作方法主要有以下几种(主要在于制作硅-二氧化硅-硅的结构, 之后的步骤跟传统工艺基本一致.)1. 高温氧化退火:　　在硅表面离子注入一层氧离子层　　等氧离子渗入硅层, 形成富氧层　　　高温退火　　成型.　　或者是2. Wafer Bonding(用两块! )不是要做夹心饼干一样的结构吗? 爷不差钱! 来两块!　　来两块!　　　　对硅2进行表面氧化　　　　对硅2进行氢离子注入对硅2进行氢离子注入　　　　翻面　　　　将氢离子层处理成气泡层将氢离子层处理成气泡层　　　　切割掉多余部分切割掉多余部分　　　　成型! + 再利用　　　　光刻　　　　离子注入离子注入　　微观图长这样:　　再次光刻+蚀刻　　撤去保护, 中间那个就是Fin撤去保护, 中间那个就是Fin　　　　门部位的多晶硅/高K介质生长门部位的多晶硅/高K介质生长　　　　门部位的氧化层生长门部位的氧化层生长　　　　长成这样　　　　源极漏极制作(光刻+ 离子注入)　　　　初层金属/多晶硅贴片　　　　蚀刻+成型　　　　物理气相积淀长出表面金属层(因为是三维结构, 所有连线要在上部连出)　　　　机械打磨(对! 不打磨会导致金属层厚度不一致)

7，现在最新的INTELnbspi7nbsp920一共有多少个晶体管

7.31亿nbsp;i7系列集成了内存读取器nbsp;采用DDR3内存nbsp;有8MB的三级缓存nbsp;nbsp;前端总线也变成了QPInbsp;比FSB强大多了nbsp;四核心八线程nbsp;比Q强多了nbsp;Q会被i5取代

8，关于CPU的晶体管数量

纳米技术就是我们常常说的你的CPU是多少纳米的就是CPU的制程工艺采用多少规格的圆晶硅越小的工艺性能越强能耗越低发热越少当然成本也越低了价格就便宜了晶体管就要说到CPU的集成密度了你可以理解为CPU里面处理数据的工人一般而言晶体管越多CPU的性能就越强集成密度越大

9，gtx1080英伟达高配的显卡多少晶体管

搜一下：gtx1080英伟达高配的显卡多少晶体管

－显卡的晶体管数量72亿，核心面积314mm2。－显卡核心频率非常高，起始频率就有1607MHz，加速频率1733MHz。－显存容量8gb，而且是GDDR5X显存，频率10Gbps。－支持HDMI 2.0b及DP 1.4。－接口从双6pin变成了单8pin。－ TDP功耗180W，比GTX 980 Ti的250W低，比GTX 980略高。

10，三极管A940耐压值和参数是多少

三极管A940 （双极性晶体管）. 它的主要参数如下：材料: Si晶体管极性: PNP最大耗散功率 (Pc): 25集电极--基极击穿电压 (Ucb): 150集电极--发射极击穿电压 (Uce): 150发射极--基极击穿电压 (Ueb): 5最大集电极电流 (Ic): 1.5最大工作温度 (Tj), °C: 125最大工作频率 (ft): 4输出电容 (Cc), pF: 110直流电流增益 (hfe): 40封装形式: TO220

晶体管型号： 2sa940生产厂家：日本东芝公司制作材料： si-pnp性质：电视（tv），场输出（va），低频或音频放大（lf）元器件类型：普通三极管封装形式：直插封装极限工作电压： 150v最大电流允许值： 1.5a最大耗散率： 25w放大倍数：未知放大倍数最大工作频率： 4mhz引脚数： 3备注：暂无备注！可代换的型号： cd568,cs16,2n6476,2sa839,2sb608,2sb628(a),2sb861,3ca10f,

A940 厂家:FAIRCHILD 封装:TO-220 三极管 150V 1.5A 25W

7700有多少晶体管，AMD Phenom X4 9650的晶体管数量有多少个晶体管

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1，AMD Phenom X4 9650的晶体管数量有多少个晶体管

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2，i710700有多少晶体管

3，我想知道CPU晶体管数

4，cpu有多少晶体管

5，酷睿i7 6700K有多少晶体管

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