镁光3d nand是多少工艺，镁光mx500是什么颗粒

本文目录一览

1，镁光mx500是什么颗粒
2，2D NAND和3D NAND间有哪些区别和联系
3，固态硬盘3D闪存到底是多少纳米的

1，镁光mx500是什么颗粒

镁光英睿达Crucial MX500系列固态硬盘新品，采用 64层3D TLC NAND闪存颗粒。主控方面，Crucial MX500选用了来自Silicon Motion的SM2258，最大容量可高达2TB 。读取性能方面，其采用SATA 6Gbps接口，随机读取/写入为95k和90k IOPS，顺序读写都达到了510MB/s以上。理论数据上，250GB和500GB版本的写入量可以达到100/180TBW、1TB和2TB版本则是360/700TBW。

镁光mx500是什么颗粒

2，2D NAND和3D NAND间有哪些区别和联系

3D NAND是相对于原先的NAND在工艺上的提升，可以理解为把原先平面的存储单元构建为立体的，这样一片晶元上存储的cell会更多。传统的2D NAND工艺到16nm就已经饱和了，而3D通过增加纵轴的叠层数目可以继续演进三代左右（现有的技术一般是32层或48层，个人预测未来终结产品会发展到128层）。同一片晶元上存储单元越多即意味着每个bit的成本更低。而3D X point则和3D NAND完全不同，NAND是基于floating gate/charge-trap gate MOS技术，而x point则是基于phase change material。通俗的说，NAND是通过晶体管上充放电来存储数据，而x point是通过材料是熔化或凝固状态来存储数据。从性能上而言，x point会远远超过NAND，这可是Micron和Intel合伙憋了很多年的大杀器，如果能很快的解决现在yield lost问题，会改变以后存储世界的格局。

2D NAND和3D NAND间有哪些区别和联系

3，固态硬盘3D闪存到底是多少纳米的

进入3D时代之后，闪存从平面扩展变为垂直方向堆叠，相应的纳米工艺也发生一定回退。比如三星第一代3D闪存（32层堆叠）问世时从当时平面闪存的19nm直接退回到几年前的40nm工艺，单容量相比19nm平面闪存却有一定提升。一方面，采取老的纳米制程有助于闪存耐久度提升，另一方面纳米工艺制程不再直接影响闪存容量和性能，所以现在闪存颗粒只讲堆叠层数和存储密度，不再将纳米制程放在明面上。不过相信很多朋友还是非常关心具体数值的。存储即可就来透露一下，除了三星之外，美光的第一代3D闪存（32层堆叠）使用的也是40nm工艺，第二代64层堆叠产品才降至20nm。东芝最早提出了3D闪存结构，在应用推广上晚于三星一些，主要是为了等待技术的成熟。第一代48层堆叠3D闪存（东芝称BiCS2）就使用了19.5nm工艺，当代64层堆叠3D闪存（东芝称BiCS3）则使用当前领先的19nm工艺制造。BiCS2主要见于手机等移动存储芯片，譬如iPhone7 256G中使用的就是编号为THGBX6T1T82LFXF的东芝闪存芯片。BiCS23D闪存内部结构：最新一代的BiCS3，也就是东芝64层3D闪存的存储密度相比2D TLC闪存提升2.8倍，达到每平方毫米面积的晶片可记忆3.4Gb数据。最早使用它的是东芝原厂TR200固态硬盘。由于2.5寸规格空间充裕，TR200的闪存采用了多颗TSOP封装的颗粒，容量不变价格更便宜。TR200也是当前最便宜的原厂3D闪存固态硬盘之一，稳定耐用价格实惠。东芝BiCS3闪存的内部结构图，电子显微镜扫描：相比NAND闪存，原本是半导体制程应用急先锋的内存已经落后不少，当前最新的内存芯片还停留在18nm 2D水平上。由于三星的垄断，内存价格始终居高不下，也迟迟没有迈向3D化的动作。其实早在几年前就已经有3D内存理论被提出，基本原理与3D闪存类似，只不过推进3D化会增加短时内研发成本，而现在高度垄断之下躺着就能赚钱，又怎会积极推动技术跨越呢？近期内存、固态硬盘价格都有所回落，但从降幅来说，现在固态硬盘显然要比内存更值得买。据市场研究机构分析，近几个月将是闪存价格本年度内的低谷，也就是入手固态硬盘的最佳时机。要不要上车，大家看着办咯。

固态硬盘3D闪存到底是多少纳米的