mos管电流余量应该选多少，设计电机驱动电路电机的额电流为3A那么应该选用额定电流多大

来源：整理时间：2023-10-17 01:40:26 编辑：亚灵电子网手机版

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1，设计电机驱动电路电机的额电流为3A那么应该选用额定电流多大
2，MOSFET问题FDS6898A明明工作电流是94A为什么测试出来的是
3，如何估算MOS管的驱动电流
4，一般的MOS功率管能承受多少A电流现在一块充电板想让它输出达
5，关于mos管的问题
6，MOS管选择注重的参数有哪几项
7，mos管的最大持续电流是如何确定的

1，设计电机驱动电路电机的额电流为3A那么应该选用额定电流多大

一般选用9A或以上的MOSFET。

你好！电机的额电流为3A，启动的电流会更大（应该差不多2倍吧）。所以MOS管要选电机的额定电流的3倍以上才安全，也就是说要9A以上，还要有足够的散热。仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

设计电机驱动电路电机的额电流为3A那么应该选用额定电流多大

2，MOSFET问题FDS6898A明明工作电流是94A为什么测试出来的是

测试出来的是4.8-5.3A左右范围？怎么测试的？按照出厂资料的工况测试的？9.4A是理论上可承受的最大电流，一般实际使用时不可以达到这么大，必须留有余量，否则会把MOS管烧坏了。

工作电流小于额定电流是正常现象,否则该元件会烧毁的。再看看别人怎么说的。

MOSFET问题FDS6898A明明工作电流是94A为什么测试出来的是

3，如何估算MOS管的驱动电流

mos管开通过程的电流有点像给电容充电的过程（但不完全一样），他的电流是时时刻刻都变化的，如果你问的时候充电瞬间的最大电流，他可以达到1个或几个安培的电流，为此需要选的的驱动器最大电流最好是接近或大于这个值，不然影响开关速度，增加损耗，

我的估算方法如下：开关频率100khzqg=270nc（max）假设vgs上升沿为tr=100ns，则idrive=qg/tr=2.7a这是一个比较稳妥的电流,然后视实际情况可以适当加大

如何估算MOS管的驱动电流

4，一般的MOS功率管能承受多少A电流现在一块充电板想让它输出达

大电流的场效应管许多许多，10A不算大。目前市场上容易买到的12N60可达12A/600V再有IRF640可达18A200V,不知道你需要的电压是多少？

先从变压器下手

是5v 电流为1a 输入电压时5v 输出为5v 1a

作为开关电源的功率管吗？用电磁炉功率管即可

你的耐压要多高的？如果600v的那就用 12n60可以了，这颗mos是12a的电流600v耐压。看你留的余量多少咯。

5，关于mos管的问题

这句话无法理解的是后半句的“应选用晶体管”，这句话前半句是正确的，后半句我觉得...场效应管对于信号源呈高阻抗，因其栅极呈高阻，三极管的be正向结间压降较大因而对信号源影响较明显，故而有前半句的说法。实际上比如功率mos管也是被低电压大电流驱动的，比如零电压驱动技术在电源中的广泛应用，所以后半句...实际上选择场效应管还是晶体管还要从电路接口考量，对于信号源来说，这两种器件都是信号源的负载，因而都应该对信号源的影响越小越好，所以如果要理解这句话，只能在一个相对特定的电路中，例如音频放大器当中，可以利用场效应管较少电流于信号源的特征作为前电压放大级，然后利用晶体管作为纯甲类的功率放大级，因为这一级的输出功率取决于它的静态电流。只找到个mos管的应用请看如下链接，希望能帮到你：http://www.national.com/CHS/an/AN/AN-558.pdf

如果你的目的是让led发光，那么这里mos的作用就是开关了，做开关导通的时候，mos工作于线性区，并不是说一导通就是饱和；他有截止，线性，饱和3中状态。线性区的时候vds应该很小，如果你现在在饱和区，说明vds>vgs-vt，也许直接mos管把你准备用来给led的开启电压都用光了。。。当然了，还是得看整体电路。

6，MOS管选择注重的参数有哪几项

在oring fet应用中，mos管的作用是开关器件，但是由于服务器类应用中电源不间断工作，这个开关实际上始终处于导通状态。其开关功能只发挥在启动和关断，以及电源出现故障之时。　　相比从事以开关为核心应用的设计人员，oring fet应用设计人员显然必需关注mos管的不同特性。以服务器为例，在正常工作期间，mos管只相当于一个导体。因此，oring fet应用设计人员最关心的是最小传导损耗。　　低rds(on) 可把bom及pcb尺寸降至最小　　一般而言，mos管制造商采用rds(on) 参数来定义导通阻抗;对oring fet应用来说，rds(on) 也是最重要的器件特性。数据手册定义rds(on) 与栅极 (或驱动) 电压 vgs 以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，rds(on) 是一个相对静态参数。　　若设计人员试图开发尺寸最小、成本最低的电源，低导通阻抗更是加倍的重要。在电源设计中，每个电源常常需要多个oring mos管并行工作，需要多个器件来把电流传送给负载。在许多情况下，设计人员必须并联mos管，以有效降低rds(on)。　　需谨记，在 dc 电路中，并联电阻性负载的等效阻抗小于每个负载单独的阻抗值。比如，两个并联的2ω 电阻相当于一个1ω的电阻。因此，一般来说，一个低rds(on) 值的mos管，具备大额定电流，就可以让设计人员把电源中所用mos管的数目减至最少。　　除了rds(on)之外，在mos管的选择过程中还有几个mos管参数也对电源设计人员非常重要。许多情况下，设计人员应该密切关注数据手册上的安全工作区(soa)曲线，该曲线同时描述了漏极电流和漏源电压的关系。基本上，soa定义了mosfet能够安全工作的电源电压和电流。在oring fet应用中，首要问题是：在"完全导通状态"下fet的电流传送能力。实际上无需soa曲线也可以获得漏极电流值。　　若设计是实现热插拔功能，soa曲线也许更能发挥作用。在这种情况下，mos管需要部分导通工作。soa曲线定义了不同脉冲期间的电流和电压限值。　　注意刚刚提到的额定电流，这也是值得考虑的热参数，因为始终导通的mos管很容易发热。另外，日渐升高的结温也会导致rds(on)的增加。mos管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为mos管封装的半导体结散热能力。rθjc的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。细言之，在实际测量中其代表从器件结(对于一个垂直mos管，即裸片的上表面附近)到封装外表面的热阻抗，在数据手册中有描述。若采用powerqfn封装，管壳定义为这个大漏极片的中心。因此，rθjc 定义了裸片与封装系统的热效应。rθja 定义了从裸片表面到周围环境的热阻抗，而且一般通过一个脚注来标明与pcb设计的关系，包括镀铜的层数和厚度。

1、负载电流IL ——它直接决定于MOSFET的输出能力；2、输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；3、开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率；4、 MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标。

7，mos管的最大持续电流是如何确定的

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。脉冲尖峰是其中大量浪涌（或尖峰电流）流过设备的脉冲尖峰。确定了这些条件下的最大电流后，只需选择可承受该最大电流的设备即可。选择额定电流后，还必须计算传导损耗。在实际情况下，MOS晶体管不是理想的器件，因为在传导过程中会损失电能，这称为传导损耗。扩展资料MOS晶体管“导通”时，就像可变电阻一样，由器件的RDS（ON）决定，并随温度而显着变化。器件的功耗可通过Iload2×RDS（ON）计算得出。由于导通电阻随温度变化，因此功耗也会成比例地变化。施加到MOS晶体管的电压VGS越高，RDS（ON）越小；否则RDS（ON）越高。请注意，RDS（ON）电阻会随着电流而略有上升。参考资料来源：搜狗百科-mos管

1. 是用N沟道还是P沟道。选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 2. 确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。3.　选择MOS管的下一步是系统的散热要求。须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个式子可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。我们已将要通过器件的最大电流，可以计算出不同温度下的RDS（ON）。另外，还要做好电路板及其MOS管的散热。雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值，并形成强电场使器件内电流增加。晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力，最终提高器件的稳健性。因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩。4. 选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗（Eon）和关闭过程中的损坏（Eoff）。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw= （Eon+Eoff）×开关频率。而栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。这个是理论计算的最大值。实际一般在最大值的70-80%使用MOS管不会有问题。

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。有许多参数会影响开关的性能，但最重要的是栅极/漏极，栅极/源极和漏极/源极电容。这些电容器在设备中产生开关损耗，因为每次开关时都会对其充电。因此，降低了MOS晶体管的开关速度，并且还降低了器件效率。为了计算开关过程中器件的总损耗，需要计算导通期间的损耗（Eon）和关断期间的损耗（Eoff）。 MOSFET开关的总功率可以用以下公式表示：Psw =（Eon Eoff）×开关频率。栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。扩展资料1：雪崩失效(电压失效)，也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。2：SOA失效(电流失效)，既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。3：体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。参考资料来源：搜狗百科-mos管

确定mos管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的mos管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。mos管的source和drain是可以对调的，都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

主要是看DATASHEET，最大持续电流通过MOS管，MOS管的结温不要超过规定值。（主要看你的驱动方式，散热方式等综合因素）