ds18b20多少字节，ds18b20读暂存器是9个字节的数据为什么这么多

来源：整理时间：2023-08-28 06:26:36 编辑：亚灵电子网手机版

1，ds18b20读暂存器是9个字节的数据为什么这么多

9个寄存器中，地址单元0和1是测量温度的低字节和高字节，单元2是高温报警值，单元3是低温扳警值，单元4是配置寄存器，单元5一7说明书中介绍为保留值，单元8是单元0一7的CRC校验码。实际使用中，当只是为了测温，只需用到单元0，1和4。应用环境中如果没有强干扰，不是十分严格的话，不做校验也可以。

th是温度的高位 tl是温度的低位

ds18b20读暂存器是9个字节的数据为什么这么多

2，关于DS18B20读一个字节的问题

我想你是没注意到一个地方：dat>>1；这句在循环的一开始，也就是说，每一次读一位数据开始时，dat就右移一位，高位自动补0，所以只有当读到1时才为dat高位赋值为1，否则继续保持之前补上的数据0；其次，DQ=1，这是做输入用的，而硬件仿真时没有考虑进硬件，所以仿真结果只会是全1，而真正运行结果肯定是从硬件上读出数据来；右移的目的是让数据能正确拼装，因为读是先读最低位，最后读最高位，所以要右移以便在下一次能装入高一位的数据。希望我的回答能帮助到你。

关于DS18B20读一个字节的问题

3，ds18b20读一个字节

那个判断的应该是输出的电平的高低吧？高低平了就读书啊

我想你是没注意到一个地方：dat>>1；这句在循环的一开始，也就是说，每一次读一位数据开始时，dat就右移一位，高位自动补0，所以只有当读到1时才为dat高位赋值为1，否则继续保持之前补上的数据0；其次，dq=1，这是做输入用的，而硬件仿真时没有考虑进硬件，所以仿真结果只会是全1，而真正运行结果肯定是从硬件上读出数据来；右移的目的是让数据能正确拼装，因为读是先读最低位，最后读最高位，所以要右移以便在下一次能装入高一位的数据。希望我的回答能帮助到你。

ds18b20读一个字节

4，最近在学51单片机的温度传感器DS18B20其中有读字节和写字节函

程序调试过的吗？硬件电路调试过的吗？焊接没问题吗？lcd 的对比度电压正确吗？好像只有电源正常

DS18B20从总线DQ上读取数据,还是说是单片机读取DS18B20内的数据?例如读温度：单片向18B20写了一条读温度命令后,18B20开始把内部寄存器的数据放到总线上，一位一位的放，如果发送的位为0，DQ就被拉低，如果发送的位为1，DQ就被拉高，连续8次便完成一个字节的传输，总线提供了数据传输的介质。如有错误请指正。

读字节函数是单片机读取DS18B20内的数据写字节函数是单片机向DS18B20内写入数据

就是用DQ这条总线上读或者写入数据8次这样就一个DQ控制口代替了8个懂么简单的说给DS18b20发送相应的一个字节命令（8位）然后18b20读出2字节的数据然后这个数据转换下就是温度这个懂了吧

5，单片机从ds18b20读出的温度为什么是两个字节比如说30度读出的

两个字节中，D15D14D13D12D11D10D09D08 D07D06D05D04D03D02D01D00其中D15D14D13D12D11是8个符号位，零上为00000，零下为11111 D03D02D01D00是小数位中间8位为是整数位，如果是零下负温度则为补码。30度读出来是：00000001 11100000

30度时，高字节是0x03，低字节是0x0015.5°时，高字节是0x01，低字节是0x55-10°时，高字节是0xf9，低字节是0x00

t=b; t<<=8; t=t(按位或)a; s=t*0.0625; t=s*10+ 0.5; reture(t) .51单片机不是八位吗，读数据分两个字节读的，读完当然要合在一起了。ds18b20分辩率为0.0625，故当然要转成实际温度了

默认状态是0.0625度/bit30度 = 0x1e0 * 0.0625就是说30度两个字节为 0x01 0xe0

6，单片机DS18B20

#include "REG51.H"#include "INTRINS.H" typedef unsigned char BYTE; sbit DQ = P3^3; //DS18B20的数据口位P3.3BYTE TPH; //存放温度值的高字节BYTE TPL; //存放温度值的低字节 void DelayXus(BYTE n);void DS18B20_Reset();void DS18B20_WriteByte(BYTE dat);BYTE DS18B20_ReadByte(); void main() DS18B20_Reset(); //设备复位 DS18B20_WriteByte(0xCC); //跳过ROM命令 DS18B20_WriteByte(0x44); //开始转换命令 while (!DQ); //等待转换完成 DS18B20_Reset(); //设备复位 DS18B20_WriteByte(0xCC); //跳过ROM命令 DS18B20_WriteByte(0xBE); //读暂存存储器命令 TPL = DS18B20_ReadByte(); //读温度低字节 TPH = DS18B20_ReadByte(); //读温度高字节 while (1);} /**************************************延时X微秒(STC12C5A60S2@12M)不同的工作环境,需要调整此函数此延时函数是使用1T的指令周期进行计算,与传统的12T的MCU不同**************************************/void DelayXus(BYTE n) while (n--) _nop_(); _nop_(); }} /**************************************复位DS18B20,并检测设备是否存在**************************************/void DS18B20_Reset() CY = 1; while (CY) DQ = 0; //送出低电平复位信号 DelayXus(240); //延时至少480us DelayXus(240); DQ = 1; //释放数据线 DelayXus(60); //等待60us CY = DQ; //检测存在脉冲 DelayXus(240); //等待设备释放数据线 DelayXus(180); }} /**************************************从DS18B20读1字节数据**************************************/BYTE DS18B20_ReadByte() BYTE i; BYTE dat = 0; for (i=0; i<8; i++) //8位计数器 dat >>= 1; DQ = 0; //开始时间片 DelayXus(1); //延时等待 DQ = 1; //准备接收 DelayXus(1); //接收延时 if (DQ) dat |= 0x80; //读取数据 DelayXus(60); //等待时间片结束 } return dat;} /**************************************向DS18B20写1字节数据**************************************/void DS18B20_WriteByte(BYTE dat) char i; for (i=0; i<8; i++) //8位计数器 DQ = 0; //开始时间片 DelayXus(1); //延时等待 dat >>= 1; //送出数据 DQ = CY; DelayXus(60); //等待时间片结束 DQ = 1; //恢复数据线 DelayXus(1); //恢复延时 }}

7，温度传感器DS18B20的读写一个字节的子程序

/***********ds18b20读一个字节**************/ unsigned char ReadOneChar(void)uchar i=0; //定义i用于循环uchar dat = 0; //读取的8位数据for (i=8;i>0;i--) //8次循环DQ = 0; //拉低DQ总线开始读时序dat>>=1; //dat左移一位DQ = 1; //释放DQ总线 if(DQ) //如果DQ=1，执dat|=0x80；（0x80即第7位为1，如果DQ为1，即读取的数据为1，将dat的第7为置1，然后dat>>=1，循环8次结束，dat即为读取的数据） //DQ=0，就跳过 dat|=0x80; delay_18B20(4); // 延时以完成此次读时序，之后再读下一数据 } return(dat); //返回读取的dat}DQ = dat&0x01;这句语句是错误的。DQ为位变量，而dat为 unsigned char如果真要这么写的话，应该是这样：DQ = （bit）dat&0x01；把我写的给你做个参考吧：extern uchar8 sig; //sig判定温度符号/*延时函数*/void delay (int us) //DELAY-11.0592MHZ 调用程序大约为24us，每次循环为16us int s; for(s=0;s<us;s++);}void delayms(int z) //z为毫秒数 int x,y; for(x=z;x>0;x--) for(y=125;y>0;y--);}/*复位程序*/unsigned char reset(void) uchar8 presence; DQ=0; //拉低总线。当总线停留在低电平480us-960us ，总线上所以器件都将被复位 delay(30); //保持低电平504us DQ=1; //释放总线，让其恢复高电平 delay(3); //等待芯片应答信号 presence=DQ; //获取应答信号 delay(25); //延时以完成整个时序 return(presence); //返回应答信号。有芯片应答返回0，否则返回1。}/*写一位数据*/void write_bit(char bitval) DQ=0; //拉低DQ总线，开始时序 if(bitval==1) //如果写入的为1，则返回高电平 DQ=1; delay(5); //延时104us，以完成整个时序 DQ=1; }/*写一字节数据*/void write_byte(char val) uchar8 i,temp; for (i=0;i<8;i++) //写入一个字节的数据，一个时序中写一次 temp=val>>i; //右移i位 temp&=0x01; //复制那位数据到temp write_bit(temp); //调用write_bit（） } delay(5); //延时104us以完成此次时序，之后再写下一数据}/*读一位数据*/uchar8 read_bit(void) uchar8 i; DQ=0; //拉低DQ，开始读时序 DQ=1; //释放DQ总线 for(i=0;i<3;i++); //从时序开始延时15us return(DQ); //返回DQ值}/*读一字节数据*/uchar8 read_byte(void) uchar8 i,value=0; for(i=0;i<8;i++) if(read_bit()) //读一字节数据，一个时序中读一次，并作移位处理 value|=0x01<<i; delay(6); //延时以完成此次读时序，之后再读下一数据 } return(value);}/*温度转化*/void tmconvert(void) reset(); //复位 delay(1); write_byte(0xcc); //仅一个DS18b20 ，跳过ROM write_byte(0x44); //温度变换}/*读取温度*/long gettm(void) uchar8 LSB=0,MSB=0; //用于存储读取的温度 long temp; reset(); //复位 write_byte(0xcc); //写指令，跳过ROM，仅一个DS18b20 write_byte(0xbe); //写指令，读暂存存储器 LSB = read_byte(); //读LSB MSB = read_byte(); //读MSB sig=(MSB>>4==0X0F); if(sig) //判断符号位是否为负值，是负值了，转去处理 LSB=~LSB; //温度处理 MSB=~MSB; LSB=LSB+1; } temp=MSB*256+LSB; //十六进制转换为10进制 temp=temp*100/16; //12位精度，最小分辨率为0.0625°C return temp; //获得0.01°C 的精度并返回}

/***********ds18b20读一个字节**************/unsignedcharReadOneChar(void)uchari=0;//定义i用于循环uchardat=0;//读取的8位数据for(i=8;i>0;i--)//8次循环DQ=0;//拉低DQ总线开始读时序dat>>=1;//dat左移一位DQ=1;//释放DQ总线if(DQ)//如果DQ=1，执dat|=0x80；（0x80即第7位为1，如果DQ为1，即读取的数据为1，将dat的第7为置1，然后dat>>=1，循环8次结束，dat即为读取的数据）//DQ=0，就跳过dat|=0x80;delay_18B20(4);//延时以完成此次读时序，之后再读下一数据}return(dat);//返回读取的dat}DQ=dat&0x01;这句语句是错误的。DQ为位变量，而dat为unsignedchar如果真要这么写的话，应该是这样：DQ=（bit）dat&0x01；把我写的给你做个参考吧：externuchar8sig;//sig判定温度符号/*延时函数*/voiddelay(intus)//DELAY-11.0592MHZ调用程序大约为24us，每次循环为16usints;for(s=0;s<us;s++);}voiddelayms(intz)//z为毫秒数intx,y;for(x=z;x>0;x--)for(y=125;y>0;y--);}/*复位程序*/unsignedcharreset(void)uchar8presence;DQ=0;//拉低总线。当总线停留在低电平480us-960us，总线上所以器件都将被复位delay(30);//保持低电平504usDQ=1;//释放总线，让其恢复高电平delay(3);//等待芯片应答信号presence=DQ;//获取应答信号delay(25);//延时以完成整个时序return(presence);//返回应答信号。有芯片应答返回0，否则返回1。}/*写一位数据*/voidwrite_bit(charbitval)DQ=0;//拉低DQ总线，开始时序if(bitval==1)//如果写入的为1，则返回高电平DQ=1;delay(5);//延时104us，以完成整个时序DQ=1;}/*写一字节数据*/voidwrite_byte(charval)uchar8i,temp;for(i=0;i<8;i++)//写入一个字节的数据，一个时序中写一次temp=val>>i;//右移i位temp&=0x01;//复制那位数据到tempwrite_bit(temp);//调用write_bit（）}delay(5);//延时104us以完成此次时序，之后再写下一数据}/*读一位数据*/uchar8read_bit(void)uchar8i;DQ=0;//拉低DQ，开始读时序DQ=1;//释放DQ总线for(i=0;i<3;i++);//从时序开始延时15usreturn(DQ);//返回DQ值}/*读一字节数据*/uchar8read_byte(void)uchar8i,value=0;for(i=0;i<8;i++)if(read_bit())//读一字节数据，一个时序中读一次，并作移位处理value|=0x01<<i;delay(6);//延时以完成此次读时序，之后再读下一数据}return(value);}/*温度转化*/voidtmconvert(void)reset();//复位delay(1);write_byte(0xcc);//仅一个DS18b20，跳过ROMwrite_byte(0x44);//温度变换}/*读取温度*/longgettm(void)uchar8LSB=0,MSB=0;//用于存储读取的温度longtemp;reset();//复位write_byte(0xcc);//写指令，跳过ROM，仅一个DS18b20write_byte(0xbe);//写指令，读暂存存储器LSB=read_byte();//读LSBMSB=read_byte();//读MSBsig=(MSB>>4==0X0F);if(sig)//判断符号位是否为负值，是负值了，转去处理LSB=~LSB;//温度处理MSB=~MSB;LSB=LSB+1;}temp=MSB*256+LSB;//十六进制转换为10进制temp=temp*100/16;//12位精度，最小分辨率为0.0625°Creturntemp;//获得0.01°C的精度并返回}