at24c16挂多少ddr，哪里有常用的PROTEL元件啊例如AT24C16PTC

来源：整理时间：2023-04-22 10:33:22 编辑：亚灵电子网手机版

1，哪里有常用的PROTEL元件啊例如AT24C16PTC

最直接的方法就是直接画，或者你看吓网友有没有好的库，直接把他的库拷给你就OK啦~!

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2，I3 2100双核CPU 8G内存能挂多少个YY号

先不讨论能挂多少个YY，先32位系统下，内存只能认到3.25G，8G内存的话会浪费4个多G，除非你用64位的WIN7，相关知识请去百度搜索，如果你像挂YY升段位YY的话，可以告诉你，不好使的，同一IP地址的ID只能算作一个ID。

I3 2100双核CPU 8G内存能挂多少个YY号

3，at24c16的A0A1A2如何接线

SCL和SDA 只需要连接2个P口就可以吧，其中TXD和RXD 需要和美信相连的记得有一次实验中我就复用了这两个端口结果没有实现现象建议你不要复用

at24c16的A0A1A2如何接线

4，可以挂50只QQ的电脑配置大概需要多少钱什么配置比较好有请各路大神

1.CPU Intel至强 E3-1231 V3 2.主板华硕B85-PRO GAMER 3.内存海盗船 DDR3 1600 8GB 复仇者 4.机械硬盘希捷Barracuda 2TB 64M SATA3 5.固态硬盘 Crucial英睿达 MX200 250G 6.显卡影驰GTX 1060名人堂 7.机箱游戏悍将刀锋5标准黑装 8.电源酷冷至尊GX2代550W 散热器 9.超频三新红海S98(CPU散热，可买可不买，大概70-80块钱） 7000块钱的配置单内存可以换海盗船复仇者DDR3 1866 16G套装

5，dspic单片机可以读at24c16但是写不进去为什么啊

过程在本质上是相同的开发环境是一样的 STC的更多的是看门狗定时器电源管理等几个不太常见的寄存器是连头都可以互换主要STC的一样，其他基本共识最低电压3.8 V，AT自称是4.2V STC编程手册是10W和AT 1K我的经验是3K多。最大的区别在于程序下载 STC是一个3线串行接口，可以使用USB转串口笔记头10元。在AT-5电缆的程序员一定是最符合成本效益的OURAVR开发的USB-ASP的笔记本可以使用20日元之一。

搜一下：dspic单片机可以读at24c16，但是写不进去，为什么啊

6，ddr4的内存条爱ddr3强多少

1.DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状2.DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低很多电脑用户可能对于内存的内在改进不会有太多的关注，而外在的变化更容易被人发现，一直一来，内存的金手指都是直线型的，而在DDR4这一代，内存的金手指发生了明显的改变，那就是变得弯曲了，其实一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存其次，DDR4内存的金手指本身设计有较明显变化。金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm，笔记本电脑内存上使用的SO-DIMM DDR4内存有256个触点，SO-DIMM DDR3有204个触点，间距从0.6毫米缩减到了0.5毫米。第三，标准尺寸的DDR4内存在PCB、长度和高度上，也做出了一定调整。由于DDR4芯片封装方式的改变以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB层数相比DDR3更多，而整体尺寸也有了不同的变化，如上图。频率和带宽提升巨大　DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。在DDR在发展的过程中，一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代，数据预取的增加变得更为困难，所以推出了Bank Group的设计Bank Group架构又是怎样的情况？具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据，这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升，可以同时读取大量的数据，内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组，包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组，这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作，从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group，相当于每次操作16bit的数据，变相地将内存预取值提高到了16n，如果是四个独立的Bank Group，则变相的预取值提高到了32n。如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话，那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计，对于DDR3内存来说，目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中，访问机制已经改为了点对点技术，这是DDR4整个存储系统的关键性设计。在DDR3内存上，内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽，但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力，无论你怎么增加内存容量，性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管，但受制于主管道的大小，即便你可以增加注水管来提升容量，但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显，但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了，所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易，但却浪费了内存的位宽。因此，DDR4抛弃了这样的设计，转而采用点对点总线：内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线，点对点相当于一条主管道只对应一个注水管，这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过，点对点设计的问题也同样明显：一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存，因此如果DDR4内存单条容量不足的话，将很难有效提升系统的内存总量。当然，这难不道开发者，3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。容量剧增最高可达128GB3DS（3-Dimensional Stack，三维堆叠）技术是DDR4内存中最关键的技术之一，它用来增大单颗芯片的容量。3DS技术最初由美光提出的,它类似于传统的堆叠封装技术，比如手机芯片中的处理器和存储器很多都采用堆叠焊接在主板上以减少体积—堆叠焊接和堆叠封装的差别在于，一个在芯片封装完成后、在PCB板上堆叠；另一个是在芯片封装之前，在芯片内部堆叠。一般来说，在散热和工艺允许的情况下，堆叠封装能够大大降低芯片面积，对产品的小型化是非常有帮助的。在DDR4上，堆叠封装主要用TSV硅穿孔的形式来实现。所谓硅穿孔，就用激光或蚀刻方式在硅片上钻出小孔，然后填入金属联通孔洞，这样经过硅穿孔的不同硅片之间的信号可以互相传输。在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。更低功耗更低电压更低的电压：这是每一代DDR进化的必备要素，DDR4已经降至1.2V首先来看功耗方面的内容。DDR4内存采用了TCSE ( Temperature Compensated Self-Refresh，温度补偿自刷新，主要用于降低存储芯片在自刷新时消耗的功率)、TCARtemperature Compensated Auto Refresh，温度补偿自动刷新，和T CSE类似）、DBI（Data Bus Inversion，数据总线倒置，用于降低VDDQ电流，降低切换操作）等新技术。这些技术能够降低DDR4内存在使用中的功耗。当然，作为新一代内存，降低功耗最直接的方法是采用更新的制程以及更低的电压。目前DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。而随着工艺进步、电压降低以及联合使用多种功耗控制技术的情况下，DDR4的功耗表现将是非常出色的。

7，与AT24C02的电路用51单片机控制顺便说说 AT24C

根据他们的连接方式不同，可用的地址也略有不同24C01在一个总线上最多可寻址八个1K器件，24C02在一个总线上最多可寻址八个2K器件，A2、A1和A0内部必须连接。24C04仅使用A2、A1作为硬件连接的器件地址输入引脚，在一个总线上最多可寻址四个4K器件。A0引脚内部未连接。24C08仅使用A2作为硬件连接的器件地址输入引脚，在一个总线上最多可寻址两个8K器件。A0和A1引脚内部未连接。24C16未使用作为硬件连接的器件地址输入引脚，在一个总线上最多可连接一个16K器件。A0、A1和A2引脚内部未连接简单说就是，以at24c02为例，at24c02共有256个（2k）可用地址，而前1024（8K）个地址可以共用，共用的条件是必须指定使用哪一部分，当选择的地址可以兼容时，程序便是兼容的，地址不兼容，程序当然也会出问题！！

任务占坑

8，at24c16程序怎么写

你好，我正在使用c16，但是一直有乱码，我想看一下你的子程序。可以吗？谢谢了，问了好多同学，问题没解决。谢谢了。

AT24c16是EEROM,与传统的片外EPROM有所区别.当然你前面说的，用单片机任意两只脚作为输入和输出是对的，读取程序就是需要IIC协议，这个得自己来写，这程序一时半会也不说清楚的。当然你不会也可以叫别人给你写的。单片机是不会自动寻找EEROM的，这需要你的单片机程序配合，也就是你单片机程序让它寻址它就寻址。另外,站长团上有产品团购,便宜有保证

你现在的错是什么错呢？IIC协议有吧？你现在问题不是可以显示就是不能让AT24C16断电保存变量是吗？如果是这样话，很简单的，你只要在每次显示的同时把变量值还要写入AT24C16的的指定地址才可以保存起来的。这样下次上电就可读出来了。

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9，求助AT24C16与51单片机的应用附上原理图还有程序小弟定会感

AT24C08和16是差不多的，单片机部分的原理图就不用了吧。以下是AT24Cxx是H函数#ifndef __AT24C08_H__#define __AT24C08_H__#include "delay.h"#defineOP_READ0xa1// 器件地址以及读取操作,0xa1即为1010 0001B#defineOP_WRITE 0xa0// 器件地址以及写入操作,0xa1即为1010 0000Bsbit SCL=P3^1; //将串行时钟总线SDA位定义在为P3.1引脚sbit SDA=P3^2; //将串行数据总线SDA位定义在为P3.2引脚/*************************************************************函数名称：start函数功能：开始传送函数入口参数：无返回值：无*************************************************************/void start( void )SDA = 1; //SDA初始化为高电平“1” SCL = 1; //开始数据传送时，要求SCL为高电平“1”_nop_(); //等待一个机器周期_nop_(); //等待一个机器周期_nop_(); //等待一个机器周期_nop_(); //等待一个机器周期SDA = 0; //SDA的下降沿被认为是开始信号_nop_(); //等待一个机器周期_nop_(); //等待一个机器周期_nop_(); //等待一个机器周期_nop_(); //等待一个机器周期SCL = 0; //SCL为低电平时，SDA上数据才允许变化(即允许以后的数据传递） }/*************************************************************函数名称：stop函数功能：传送结束函数入口参数：无返回值：无*************************************************************/void stop( void )SDA = 0; //SDA初始化为低电平“0”_nSCL = 1; //结束数据传送时，要求SCL为高电平“1”_nop_(); //等待一个机器周期_nop_(); //等待一个机器周期_nop_(); //等待一个机器周期_nop_(); //等待一个机器周期SDA = 1; //SDA的上升沿被认为是结束信号_nop_(); //等待一个机器周期_nop_(); //等待一个机器周期_nop_(); //等待一个机器周期_nop_(); //等待一个机器周期SDA=0;SCL=0;}/*************************************************************函数名称：ReadData函数功能：从AT24Cxx读取数据，从AT24Cxx移入数据到MCU入口参数：无返回值：ReadData()*************************************************************/unsigned char ReadData()unsigned char i;unsigned char x; //储存从AT24Cxx中读出的数据for(i = 0; i < 8; i++)SCL = 1; //SCL置为高电平x<<=1; //将x中的各二进位向左移一位x|=(unsigned char)SDA; //将SDA上的数据通过按位“或“运算存入x中SCL = 0; //在SCL的下降沿读出数据}return(x); //将读取的数据返回}/*************************************************************函数名称：WriteCurrent函数功能：向AT24Cxx的当前地址写入数据，在调用此数据写入函数前需首先调用开始函数start(),所以SCL=0入口参数：y--储存待写入的数据返回值：WriteCurrent()*************************************************************/bit WriteCurrent(unsigned char y)unsigned char i;bit ack_bit; //储存应答位for(i = 0; i < 8; i++)// 循环移入8个位 SDA = (bit)(y&0x80); //通过按位“与”运算将最高位数据送到S //因为传送时高位在前，低位在后_nop_(); //等待一个机器周期 SCL = 1; //在SCL的上升沿将数据写入AT24Cxx _nop_(); //等待一个机器周期 _nop_(); //等待一个机器周期 SCL = 0; //将SCL重新置为低电平，以在SCL线形成传送数据所需的8个脉冲y <<= 1; //将y中的各二进位向左移一位}SDA = 1; // 发送设备（主机）应在时钟脉冲的高电平期间(SCL=1)释放SDA线， //以让SDA线转由接收设备(AT24Cxx)控制_nop_(); //等待一个机器周期 _nop_(); //等待一个机器周期 SCL = 1; //根据上述规定，SCL应为高电平_nop_(); //等待一个机器周期 _nop_(); //等待一个机器周期 _nop_(); //等待一个机器周期 _nop_(); //等待一个机器周期 ack_bit = SDA; //接受设备（AT24Cxx)向SDA送低电平，表示已经接收到一个字节 //若送高电平，表示没有接收到，传送异常SCL = 0; //SCL为低电平时，SDA上数据才允许变化(即允许以后的数据传递）return ack_bit;// 返回AT24Cxx应答位}/***************************************************函数名称：WriteSet函数功能：向AT24Cxx中的指定地址写入数据入口参数：add (储存指定的地址）；dat(储存待写入的数据）返回值：无***************************************************/void WriteSet(unsigned char add, unsigned char dat)// 在指定地址addr处写入数据WriteCurrentstart(); //开始数据传递WriteCurrent(OP_WRITE); //选择要操作的AT24Cxx芯片，并告知要对其写入数据WriteCurrent(add); //写入指定地址WriteCurrent(dat); //向当前地址（上面指定的地址）写入数据stop(); //停止数据传递delayNms(4); //1个字节的写入周期为1ms, 最好延时1ms以上}/***************************************************函数名称：ReadCurrent函数功能：从AT24Cxx中的当前地址读取数据入口参数：无出口参数：x (储存读出的数据） ***************************************************/unsigned char ReadCurrent( void )unsigned char x;start(); //开始数据传递WriteCurrent(OP_READ); //选择要操作的AT24Cxx芯片，并告知要读其数据x=ReadData(); //将读取的数据存入xstop(); //停止数据传递return x; //返回读取的数据}/***************************************************函数名称：ReadSet函数功能：从AT24Cxx中的指定地址读取数据入口参数：set_addr出口参数：x ***************************************************/unsigned char ReadSet(unsigned char set_addr)// 在指定地址读取start(); //开始数据传递WriteCurrent(OP_WRITE); //选择要操作的AT24Cxx芯片，并告知要对其写入数据WriteCurrent(set_addr); //写入指定地址return(ReadCurrent()); //从指定地址读出数据并返回}#endif怎么调用？这样 WriteSet( 地址 ,数据);