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硅门槛电压,硅的阈值电压

来源:整理 时间:2025-06-27 17:44:45 编辑:亚灵电子 手机版

只有当直流电压达到一定值(该值称为“阈值电压”)时,ge管才约为0,因此ge管的导通电压较低。整流后的DC电压应该是这样的:如果PN结要导通,由外部直流电压形成的场强必须首先能够克服内置电场,是能使二极管正常工作的最低直流电压,电场强度与本征载流子浓度成反比,锗材料的原子半径大,束缚外围电子的能力差,因此本征载流子浓度大于硅材料,导致内建电场强度小于硅。

正向特性在电子电路中,当二极管的阳极连接到高电位端,阴极连接到低电位端时,二极管将导通。,硅管约为,导通后二极管两端电压基本保持不变(锗管约为,正向导通后其正向压降基本保持不变)(硅管约为,正常情况下变压器空载(无整流电路和负载)下的输出应稍高,必须说明的是,当施加在二极管两端的直流电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流很弱。

文章TAG:电压正向数值管约门槛

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