H桥电机驱动分析本文介绍如何利用半桥/全桥驱动芯片和MOS管构建H桥电机驱动电路，实现大电流电机的驱动控制。其中采用4V锂电池组供电，并使用升压升压电路、降压稳压电路、隔离电路等辅助电路，首先我们要知道锁块是电机，电机在这里，电机可以正转和反转，均为H桥电路，由继电器控制。
在自建H桥驱动电路时，需要选择合适的MOS晶体管和半桥驱动芯片，并注意MOS晶体管的漏极电流、栅源阈值电压和漏源导通电阻等参数。电路具有热关断和防静电保护功能，使用时要注意防静电。IR210x系列芯片是驱动半桥电路的专用芯片。自举电源可以通过外部二极管和电容获得，可以实现稳定的开关状态。
其中，H桥驱动电路包括半桥/全桥驱动芯片和MOS管。需要注意选择合适的MOS管和半桥驱动芯片，以及选择合适的控制信号来控制电机的转速和正反转。电量监测底座可以准确显示电池的电量。MOS晶体管半桥驱动芯片的原理自举升压是一种通过对电容充电来获得更高电压的技术，可以使驱动MOS晶体管的G电极电压始终大于或等于Vgs（th），从而达到稳定的开关状态。
电路内置H桥结构，具有正转、反转、停止、制动和待机功能，最大持续输出电流为550mA。但由于单片机的驱动能力较低，PWM无法直接输出到电机，因此需要在芯片和电机之间增加一个驱动电路，即H桥。当我的世界遇上苏州11号线，停在H桥bx。H桥的上臂被击穿，甚至G级电阻和二极管也幸免于难。
带感性负载的高频逆变器是有风险的，后级场效应晶体管很可能被电路峰值电压这个杀手致命损坏。你再看看这个，你碰它它就不工作了，这意味着继电器控制电机，你会发现继电器，显然，系统过电压同时导致2110和FET击穿，它们通过G极电阻形成回路，导致G级电阻烧坏。看哪个继电器是控制的，下一排继电器，找出哪个继电器是控制的，就可以连接电机导线，直接通断，它就已经接通了。
