导致电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。最大反向工作电压Udrm:当二极管两端施加的反向电压达到一定值时，电子管将被击穿并失去其单向导电性，当击穿施加的反向电压超过特定值时，当施加的反向电压超过一定值时，反向电流会突然增加，这就是所谓的电击穿，当二极管被电死时，它就失去了单向导电性。极管反向耐压为。
在V加反向电压的作用下，二极管会形成一个很小的反向电流，在一定的电压范围内保持不变，因此也称为反向饱和电流。室温下硅管的反向饱和电流比锗管小得多。这种反向电流也称为反向饱和电流或泄漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般来说，硅管的反向电流比锗管小得多。低功率硅管的反向饱和电流为nA量级，低功率锗管的反向饱和电流为μ A量级..
硅管的导通电压一般是当施加的反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动形成的反向电流。二极管正向导通后，其正向压降基本保持不变（对于硅管，如果二极管没有因电击穿而过热，则单边导电性可能不会被永久破坏。因为反向电流非常小，二极管处于关断状态。（集电极-发射极反向电流Iceo（穿透电流）基极开路（Ib=，
是能使二极管正常工作的最低直流电压。为了保证使用安全，规定了最大反向工作电压，正向特性在电子电路中，当二极管的阳极连接到高电位端，阴极连接到低电位端时，二极管将导通。，所以加反了，在电子电路中，二极管的阳极连接到低电位端，阴极连接到高电位端。这取决于硅半导体的掺杂浓度和制造工艺，硅杂质半导体PN结中的场电压为。
