我看了论坛上关于mos管的帖子，和“超越”几乎一样，就是新mos管的电压、电流和功率大于或等于原来的mos管。也就是说，在更换mos管时，知道每个mos管的参数是一项很大的工作，你电路的问题很明显，要了解原理，请参考以下电路:具有软启动功能的MOS晶体管功率开关电路，这是一种非常常见和成熟的电路，原理从具有软启动功能的MOS晶体管功率开关电路来解释。
MOS晶体管开关电路是通过使用MOS晶体管的栅极（G）控制MOS晶体管的源极（S）和漏极（D）的导通-截止的原理构建的电路。在MOS管的并联中，每个MOS管的参数必须匹配。如果参数不匹配，电路将出现故障甚至损坏。需要考虑各管的热稳定性，采用动态平衡技术对各管进行实时监测和调整，以提高电路的载流能力和功率输出能力。
MOS晶体管开关电路是通过使用MOS晶体管的栅极（G）控制MOS晶体管的源极（S）和漏极（D）的导通-截止的原理构建的电路。高端驱动器，使用PNP管避免了驱动电路设计的麻烦。MOS管分为N沟道和P沟道，因此开关电路主要分为两种类型。因为MOS管分为N沟道和P沟道，所以开关电路主要分为两种类型。在集成电路的制造中，NMOS制作在P型衬底上，N阱制作在P型衬底上，而PMOS制作在N阱上。如果只有一个PMOS管（如左边的电路），那么当控制引脚为高电平时。
Mos晶体管构成与门、或门、与非门和或非门，如下图所示。可以看出，与门和或门由两级电路组成，使用的器件较多，影响了速度，降低了集成度，因此使用了较多的与非门和或非门，如果采用三极管和MOS晶体管的组合，只要打开一般用于高端驱动MOS的Q，栅极电压就需要大于源极电压。使用PNP三极管，q。
