mos管的一般电流是多少，MOS管有一个参数叫脉冲电流请问脉冲电流的定义是什么多宽的

来源：整理时间：2023-02-28 03:48:28 编辑：亚灵电子网手机版

1，MOS管有一个参数叫脉冲电流请问脉冲电流的定义是什么多宽的

脉冲电流通常是瞬时的，持续时间很短，一般不超过10US。而且一般不重复，因此没有周期可言。

同问。。。

MOS管有一个参数叫脉冲电流请问脉冲电流的定义是什么多宽的

2，mos管100n50驱动电压电流多大

MOS管是电压驱动不需要电流，电流只用于栅极电容充电。电压一般在2.5伏左右

mos管100n50驱动电压电流多大

3，怎样测试MOS管的最大电流

参考器件手册，MOS管的使用，散热条件很重要!要大的散热器帮助散热!DS接一个大功率的负载电阻(有可调的)，然后试着调整!但一般不这样做。一般实际使用的电流，为参数除以2.5

mos管的的最大允许电流是靠设计参数来确定的，使用电气参数测量方法无法确定，不过可以使用测量导通电阻方法估算，大约是v/导通电阻，v是参考压降，取值0.8-3,高压管取值大些，低压管取值小些。

怎样测试MOS管的最大电流

4，MOS管AUIRF8739L2TR的电流是多少

MOS管AUIRF8739L2TR的电流有两种，分别是 57A（Ta），545A（Tc）

5，一般的MOS功率管能承受多少A电流现在一块充电板想让它输出达

大电流的场效应管许多许多，10A不算大。目前市场上容易买到的12N60可达12A/600V再有IRF640可达18A200V,不知道你需要的电压是多少？

先从变压器下手

是5v 电流为1a 输入电压时5v 输出为5v 1a

作为开关电源的功率管吗？用电磁炉功率管即可

你的耐压要多高的？如果600v的那就用 12n60可以了，这颗mos是12a的电流600v耐压。看你留的余量多少咯。

6，一般功率mos管的导通电流参数如何选择

1. 是用N沟道还是P沟道。选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 2. 确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 3.　选择MOS管的下一步是系统的散热要求。须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个式子可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。我们已将要通过器件的最大电流，可以计算出不同温度下的RDS（ON）。另外，还要做好电路板及其MOS管的散热。雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值，并形成强电场使器件内电流增加。晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力，最终提高器件的稳健性。因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩。 4. 选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗（Eon）和关闭过程中的损耗（Eoff）。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw= （Eon+Eoff）×开关频率。而栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。

7，最小的MOS管的驱动电流多大有没有5A左右的一般一个MOS管多

MOS管是电压驱动型器件，只需很小很小很小的驱动电流。价格由参数决定。详情可以参考中国电子DIY之家有关资料

你好！MOS管是电压驱动型器件，只需很小很小很小的驱动电流。价格由参数决定。详情可以参考中国电子DIY之家有关资料如果对你有帮助，望采纳。

mos管是目前需要驱动电流最小的器件之一，5A左右的mos管很容易找的，当然你也可以用大于5A的来代替，一般的普通功率的也就一两块钱，贵的十几元二十几元。最常见的就是 5N60 10N60等其中5与10分别代表电流大小也就是5A 10A

8，mos管的电流走向

这位朋友：首先我肯定地说你这个电路图如果作为原理图的话，那准准是错的！因为没有人能够看懂它，也根本行不通！但是如果是个实际的接线图，或是叫作原件图那就是另外一回事了。它就是对的了。这不怪你，就应该怪厂家。厂家是经常这么干的！特不是东西！故意留一手。我在这里告诉你看不懂的怎么回事：二只MOSFET管其实内部是带有二极管的，你把二只二极管补上，那你就看得明明白白了。二极管的接法是D端负极S端正极。这时你再分析它的工作原理吧！很简单：在计算机有信号时，电流顺时针流动（左侧的管子导通，右侧的管子是通过管子内部所接的保护二极管导通的）；在没有信号时，虽然左边的管子可以通过内部的保护二极管导通，但是由于没有信号驱动右边的管子又不导通，所以防止了所为反冲。不知你说的一通一断是什么意思？你想想：当左边的太阳电池没电了，蓄电池电压会反过来通过左边的管子所并的二极管加到右边的管子上，那么当在信号时右边的管子是可以导通的！你说的是不是这介意思？我猜的。

mos管开通过程的电流有点像给电容充电的过程（但不完全一样），他的电流是时时刻刻都变化的，如果你问的时候充电瞬间的最大电流，他可以达到1个或几个安培的电流，为此需要选的的驱动器最大电流最好是接近或大于这个值，不然影响开关速度，增加

9，LED电源多大功率用多大电流的MOS管

这个是需要查表的，像4N60，明明标的是4A600V，但是用在220V直流上，它的最大功率不是220X4A=880W。实际他只有七八十瓦。所以，主要是看他的实际功率除以他的实际电流，也就是80瓦MOS配46WLED灯（LED功率=80W/1.732=46.19W)

双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出 n沟道mos管符号一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（fet），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。fet的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为n沟道和p沟道，详情参考右侧图片。而p沟道常见的为低压mos管。[1] 　　场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影 p沟道mos管符号一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以fet管的gate电流非常小。最普通的fet用一薄层二氧化硅来作为gate极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(mos)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（mosfet）。因为mos管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

10，mos管的最大持续电流是如何确定的

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。脉冲尖峰是其中大量浪涌（或尖峰电流）流过设备的脉冲尖峰。确定了这些条件下的最大电流后，只需选择可承受该最大电流的设备即可。选择额定电流后，还必须计算传导损耗。在实际情况下，MOS晶体管不是理想的器件，因为在传导过程中会损失电能，这称为传导损耗。扩展资料MOS晶体管“导通”时，就像可变电阻一样，由器件的RDS（ON）决定，并随温度而显着变化。器件的功耗可通过Iload2×RDS（ON）计算得出。由于导通电阻随温度变化，因此功耗也会成比例地变化。施加到MOS晶体管的电压VGS越高，RDS（ON）越小；否则RDS（ON）越高。请注意，RDS（ON）电阻会随着电流而略有上升。参考资料来源：搜狗百科-mos管

1. 是用N沟道还是P沟道。选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 2. 确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。3.　选择MOS管的下一步是系统的散热要求。须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个式子可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。我们已将要通过器件的最大电流，可以计算出不同温度下的RDS（ON）。另外，还要做好电路板及其MOS管的散热。雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值，并形成强电场使器件内电流增加。晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力，最终提高器件的稳健性。因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩。4. 选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗（Eon）和关闭过程中的损坏（Eoff）。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw= （Eon+Eoff）×开关频率。而栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。这个是理论计算的最大值。实际一般在最大值的70-80%使用MOS管不会有问题。

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。有许多参数会影响开关的性能，但最重要的是栅极/漏极，栅极/源极和漏极/源极电容。这些电容器在设备中产生开关损耗，因为每次开关时都会对其充电。因此，降低了MOS晶体管的开关速度，并且还降低了器件效率。为了计算开关过程中器件的总损耗，需要计算导通期间的损耗（Eon）和关断期间的损耗（Eoff）。 MOSFET开关的总功率可以用以下公式表示：Psw =（Eon Eoff）×开关频率。栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。扩展资料1：雪崩失效(电压失效)，也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。2：SOA失效(电流失效)，既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。3：体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。参考资料来源：搜狗百科-mos管

确定mos管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的mos管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。mos管的source和drain是可以对调的，都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

主要是看DATASHEET，最大持续电流通过MOS管，MOS管的结温不要超过规定值。（主要看你的驱动方式，散热方式等综合因素）