mos管导通压降多少，二极管正向导通时的正向电压降大致等于多少反向饱和电流值大致等

来源：整理时间：2023-02-27 14:49:05 编辑：亚灵电子网手机版

1，二极管正向导通时的正向电压降大致等于多少反向饱和电流值大致等

二极管正向压降相关：1、二极管材质/工艺：硅管压降 > 锗管压降。而同等材质，工艺不同，压降也不同。2、二极管的工作电流：同一个二极管，当前电流越大，压降越大。压降虽然有不同，但是范围在( 零点几~1点几 ) V 范围反向饱和电流Is 大概是uA级别，根据二极管种类不同，有差异

这个最好查查相应二极管的参数，一般来说硅二极管的正向压降在0.7v左右，锗二极管压降在0.2v-0.4v左右，

二极管正向导通时的正向电压降大致等于多少反向饱和电流值大致等

2，为什么这个MOS管的压降会大于2V实际电路用的AO4404 问

这个结果不意外。你的1N4743是稳压为13V的稳压管，现在电源都只有12V，所以D2其实并不起作用。Q1的状态其实是截止，Q1的集电极输出电压接近电源电压12V，G的电压是12V，但问题是UGS是多少呢？MOS管的状态是UGS决定的。MOS管导通确实只要2-4V，但问题是，MOS管的工作状态有可变电阻区（相当于三极管的饱和区），恒流区（相当于三极管的放大区）和夹断区之分。导通后，MOS管只是在恒流区，除非UGS>10V，导通状态才比较好（开关状态），而且UDS的电压并不低。你可以看一下这个管子的输出特性曲线。

你好！用AO4407试试如有疑问，请追问。

为什么这个MOS管的压降会大于2V实际电路用的AO4404 问

3，mos管导通电压大小是多大啊为什么mos管需要栅极驱动电路而类

三极管是【小电流控大电流】的器件。mos管是【电压控大电流】的器件，也就是说，前者是流控，后者是压控。

一般MOS管的饱和电压在10V，也有3-5V的，同一个MOS管通过不同的电流栅极电压也不同的。MOS管它的极间电容比较大，为了使MOS管的开关速度快和减少功耗，就要对栅极快速充放电，驱动电路就是派这个用场的。双极型三极管的极间电容不大，所以不需要类似的驱动电路了。

三极管是的器件一般就几安。mos管是大电流的器件几十或者几百安以上，三极管是通过电流控制输出。mos是小电流的电压控制mos，然后输出大电流。实际应用主要是考虑电流大小选择mos还是三极管

mos管导通电压大小是多大啊为什么mos管需要栅极驱动电路而类

4，帮我分析下这个mos管电路门极电压是多少

Q94MOS的开通电压是12V，当Q92管子导通时，Q94是截止的，当Q92截止时，加在Q94的G的电压就是R097和R098的分压，割切R097的电阻很小，可以忽略，所以MOS的门极电压是大约12V。

你图上是双极性晶体管，按你说条件算它mos型晶体管。左边栅极电压为v_do_carera/(1+5.1)，右边，当v_do_carera=1v时是12v*(510/100k)，假设你的q92在电路中能完全饱和(c极电流大于12/510)，那么当v_do_carera=1v时，大约是q92饱和压降(或者导通阻抗压降)的(510/100k)。

大约1.2v。。。。。。。。。。

从电路上看，大概11V左右。

5，二极管的管压降硅管不是才07伏吗为什么用作整流桥时我们测到

同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。同步整流管导通时的的管压降至少要比二极管的压降低，这样才能体现同步整流的优势，I同步整流一般用在低压大电流的情况下。比如输出电压只有3V，这时即使用肖特基只有0.3V的管压降那整流效率也只有90％。而MOS管导通时呈电阻态，管压降可以很低达到几十毫伏甚至几毫伏，这时的整流效率就很高了。常见的小功率MOS同步整流管：耐压30V 5A 200KH Z: IRFB3206 IXTP240N055T IRF2804 IRF3077等。普通整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。

上图是桥式整流的电路图，图中的整流二极管采用4007就可以应付一般的负载了，如果负载的电流较大，就要选择大电流的整流二极管。

6，MOS管打开时是否正向和反向都能导通

是的。一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压，那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通，当然，对于PMOS也一样。因为对于MOS管来说，管内的衬底在制造时被连接到了S端，S端已经被确定了，而DS端无法互换，但是DS间的电流方向却可以是双向的。

mos管以常见的n管为例，只要没有打开，在mos管ds之间加正向电压是不通的，加反向电压由于体二极管的存在，反向电压只要大于这个体二极管的死区电压是可以导通的，不管mos管有没有去打开它，导通压降大体都在零点几伏，不同应用条件，这个数值有点来去。这里有些人可能不清楚的地方是：mos管打开，且ds之间加了反偏电压后，mos处于什么工作状态？就是处于导通，而且基本和打开之后的正偏一样的导通。由于这个特性，比如mos管需要体二极管来进行反偏续流的时候，可以通过一些手段同时把mos管打开，这样做会使导通压降会小很多，达到减少mos管发热量的目的。

1. 所有的MOS都是通过沟道导通而不是PN结导通，沟道等效为电阻，电流是可以双向流动的。只有IGBT里面的NPN结构不会因为栅极的电压而改变其二极管的特性，所以IGBT导通时等效为二极管，二极管是有方向性的。前面答主提到了MOS的反并联二极管，无论栅极是否施加电压，只要Vsd大于二极管的开启电压Vdiode（通常为0.8V或更高），MOS都是可以反向导通电流的。2. 综合以上两点，当NMOS施加了反向电压，即Vds<0，会出现两种导通情况：1， Vgs<Vth，Vsd必须大于Vdiode才会出现反并联二极管导通；2. Vgs>Vth，沟道打开，0<Vsd<Vdiode时，只有沟道导通，电流方向从s到d；Vsd>Vdiode，沟道和反并联二极管同时导通，具体的分流配比需要综合考虑沟道电阻和二极管特性。

7，一般接近开关的导通压降为多少

1、接近开关线圈数要根据你的磁头大小选择线径，尽量细一点的漆包线，大概绕个70匝就可以了。如果是小型继电器，线圈电流应该不大，只要导线不是用得太细，50米距离应该可以。建议在接近开关导通时检查继电器线圈电压是否符合要求。2、导线长度确实会对继电器线包所加电压产生影响，低于85%额定电压就不能吸合了。如果是小型继电器，线圈电流应该不大，只要导线不是用得太细，50米距离应该可以。建议在接近开关导通时检查继电器线圈电压是否符合要求。

220V左右，分两线，三线制，大概是这样吧，不确定的话上百度贴吧区求助，很多大神在里面

驱动电路是根据脉宽来调整的简单的说一下pwm ic根据输出电压的高低老控制输出脉宽的大小,而脉宽的大小来绝对驱动mos的导通和截止的时间,而这个时间直接影响到变压器储能的多少和释放能量的多少问题有点负载,不是一句话能说清楚的

如果是直流接近开关，一般是24-36伏，导通后还有22或34伏。如果是交流220伏，那一般导通后还是220伏。

一个接近开关，在导通时，（饱和时）要求压降越小，越好。在关断时，（截止时）压酱越大，越好。由於使用材料和制造工艺目前我们把导通时的压降只能做到0.3～1.2伏左右。

这个电路三极管工作在开关状态，要么给它足够的基极电流使它饱和导通，要么不提供基极电流使它截止。89C2051的P3.1是带上拉电阻的I/o口，这里显然是做输出用。P3.1输出高电平时靠内部上拉电阻可输出5V，但没有什么负载能力、低电平时最大0.5V，最大灌电流20mA。所以电路中1K电阻应该去掉，否则P3.1输出低电平时三极管不会截止。2K的上拉电阻应该根据三极管的负载电流和放大倍数计算，并保证P3.1灌电流不超过20mA。比如继电器电流为100mA、β=100时，R<(5-0.7)/(I/β)=4.3K ,用2K电阻可以保证三极管