这些控制IC通常包括内部频率控制电路、输入电压监控电路、输出电压控制电路和输出电流控制电路。FET是压控电流器件，其iD由vGS控制，其放大系数gm一般较小，因此FET的放大能力较差，三极管是电流控制的电流器件，iC由iB（或iE）控制，并且基极电流与集电极电流有对应关系，所以三极管是电流控制元件。
场效应晶体管的控制端子与漏极和源极之间的电阻非常大，几乎没有电流，但漏极和源极之间的电流根据施加在控制端子上的电压而变化，因此场效应晶体管是电压控制元件。电流模式设备将控制电流信号注入控制端子以激励设备运行。电压型设备在控制端输入控制电压信号以激励设备运行。例如，半导体晶体管的基极电流和电压不是线性的，集电极电流与基极电流相对应，因此它是电流型元件。
IGBT本质上是一种电压控制的电流模式器件。当用作开关调制时，通过调节占空比来调节负载的电压。LED电源上方的IC与电脑的CPU相同，是主要部件，主要控制输出电压和电流。半导体MOS晶体管和老式真空管是电压控制器件。它们可以通过调整输入电流的相位来提高功率因数。对于线性元件，电压和电流之间的关系是成正比的，但对于非线性元件则不是这样。
场效应晶体管的栅极几乎不吸收电流（1g。半导体三极管，也称为晶体管和晶闸管，是电流模式器件，IGBT，绝缘栅双极晶体管，是一种由BJT和MOS（绝缘栅场效应晶体管）组成的复合全控压驱动功率半导体器件。FET的输出状态取决于栅极和漏极之间的电压，功率因数校正控制芯片是实现功率因数校正的重要部件。
