全球首款8英寸硅薄膜铌酸锂光电集成晶圆成功下线，这是光电集成技术的一大飞跃！这款8英寸硅光学薄膜铌酸锂光电集成晶片采用了最先进的工艺技术，将光电收发功能集成在单个芯片上，实现了超低损耗、超高带宽高端光芯片的规模化制造。是目前全球综合性能最好的光电集成芯片，湖北实验室取得了巨大的成就，并成功研制出世界上最好的综合光电集成芯片，世界上第一片8英寸硅薄膜铌酸锂光电集成晶片在九峰山实验室下线，并在单个芯片上集成了光电收发器功能，这是目前世界上硅基化合物光电集成的最先进技术。
据悉，硅薄膜铌酸锂光电集成晶片是目前国际上最先进的硅基化合物光电集成技术。该成果可实现超低损耗、超高带宽高端光芯片的规模化制造，是目前全球综合性能最好的光电子集成芯片。全球首款8英寸硅薄膜铌酸锂光电集成晶圆下线，将引领全球光电集成技术新飞跃。湖北九峰山实验室的这一重大成果不仅展示了中国光电集成技术的实力，也为全球光电集成芯片的发展提供了新的方向。
世界首片8英寸硅薄膜铌酸锂光电集成晶片在九峰山实验室成功研制并下线，标志着我国在光电集成芯片领域取得重大进展。该成果采用8英寸SOI硅片key和8英寸铌酸锂晶片集成光电收发功能，是目前国际上硅基化合物光电集成最先进的技术。该成果采用8英寸SOI硅片键合8英寸铌酸锂晶片，在单个芯片上集成光电收发功能，是目前国际上硅基化合物光电集成最先进的技术。
以武汉光谷为例，他们号称在全球率先成功研制出8英寸硅薄膜铌酸锂光电集成晶片，被誉为全球最先进的硅基化合物光电集成技术。这种新型光电集成晶片通过将8英寸SOI硅片与8英寸铌酸锂硅片键合，实现了单芯片集成光电收发器功能，是光电集成技术的重要里程碑。这种晶圆被认为是世界上最好的集成光电芯片，为芯片行业带来了巨大的利益。
这一重大技术突破有望帮助中国在全球光电集成技术领域占据重要地位。全球首款8英寸硅薄膜铌酸锂光电集成晶圆下线，这一创新将实现超低损耗、超高带宽高端光芯片的规模化制造，为全球光电子集成芯片的发展提供新的方向。如今九峰山实验室已成功研制出全球首款8英寸硅薄膜铌酸锂光电集成晶片，此次成功制造的硅薄膜铌酸锂光电集成晶片，展现了中国在超低损耗、超高带宽高端光芯片规模化制造方面的实力。
