充电器的主控芯片为东科DK036G，集成了650V/400mGaNHEMT的准谐振反激控制交流DC功率开关芯片，简化了电路设计。NCP4306是一款同步整流器控制器，专门设计用于控制开关电源中的同步整流器MOSFET，该控制器可用于各种拓扑结构，如DCM或CCM反激式、准谐振反激式、正激式和半桥谐振LLC。
它在准谐振反激拓扑中实现了2%的效率，为电源适配器的设计提供了更高的性能和更好的能效。NCP13994是一款高性能电流模式控制器，适用于离线电源中的半桥谐振变换器。它集成了X2电容放电、启动电流源和栅极驱动器，可以简化布局并减少电源中外部元件的数量。电路拓扑结构:GaN应用:适用于中低功率应用，并且可以使用准谐振反激和其他拓扑结构。
高效稳定的功率转换，全面诠释容止SW112x系列密封氮化镓芯片容止推出了三款集成高压氮化镓的高频准谐振模式反激式转换器SW112SW1123和SW112，适用于30-70W范围内的开关电源应用，支持高达300KHz的开关频率，并具有超宽范围的VDDH电源。SW1106是支持增强型氮化镓开关管直接驱动的高频反激准谐振控制器，SW1608是由离线反激转换器的次级同步整流管（MOSFET）驱动的高性能控制器，SW3561是支持双USB-C端口输出的降压SoC芯片，SW3516P是具有高集成度和多快速充电协议的双端口充电芯片。
PCBA模块由两块焊接的印刷电路板组成，高压滤波电容器和变压器焊接在两块印刷电路板之间的空间内，整流桥、反馈光耦、同步整流芯片和协议芯片焊接在一起。2000年后，QR准谐振反激技术成熟，超高压MOS取代传统高压MOS实现高效功率转换。Transphorm和全伟电子联合推出的SuperGaN电源控制芯片基于氮化镓技术，不仅满足了市场需求，也为市场带来了新的选择。
南芯POWERQUARK系列芯片为快充领域带来新进展。交流/DC转换是将交流电转换成直流电的过程，普通充电头需要通过交流/DC转换器来实现，可靠性:GaN器件:阈值电压漂移、短路性能问题，需要补偿和优化源电阻。为了加快USBPD1的充电设计，国科大友商推出了基于onsemiNCP168NCP1399NCP4306和FAN65004芯片的PD1电源适配器方案，可以为用户带来高效的充电体验。
