电容没什么问题，容量也差不多。滤波电容C、C、F更好，自举电容根据频率确定，F也类似，此外，这是一个局部图，现在看来电路接错了。二极管用于C，所以仔细看看，只需使用单片电容器，整个电路中最重要的部分是移动芯片，我们小组使用的驱动电路与典型应用电路完全相同。图片如下:可以看到和之间有一个自举电容，自举电容的耐压大于和地之间的去耦电容，IR。
自举电容的耐压要求不高，就拿VCC电源来说吧。例如VCC为0，耐压的电容器可以满足要求。建议使用允许工作温度为的电解（F/），然后并联一个/的贴片电容器。兄弟，自举电容会影响输出波形，没错，还会影响电压幅度。我仔细看了电路。你应该说c .那个电容应该叫校正，而不是自举。它不会影响输出波形。它会影响负载能力。如果电容太小，负载电压。
最后通过仿真和实验对本文提出的理论和电路拓扑进行了验证，证明本文设计的开关电容变换器能够很好地满足MOSFET的驱动要求。自举电路的工作原理自举电路的原理图如图。下半桥中自举电路导通时，电容两端的充电电压为驱动电路的电源电压，该电压作为上桥臂导通的驱动电压，可以设计为待驱动MOS晶体管饱和导通的最佳值（例如）。由于该电压以S为基准点，因此S极会随着相电压的变化而变化。
当S闭合时，R短路，因此此时可以通过R电压表的指示器获得电路的电流。我=，，，可以求出R端的电压U=，，R，将R端的电压相加，可以求出电源U（total）=，；当s关闭时，三个电阻串联。因此，电阻的总电阻约等于:总电流:I=P/U=，电阻两端的电压R: U=IR=，也就是说，可以得到Rx和Rx之和，并联电阻的总电阻为:R =U/I=，因此Rx约等于。
