我们小组使用的驱动电路和ir是专为高压高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动而设计的功率驱动器件。驱动芯片中集成了三个独立的相对高端和低端输出通道，可分别用于三相应用，这是一个逆变器芯片，国际整流器公司的IR，通常用于驱动高压MOSFET或IGBT功率开关。
在一般逆变器、开关电源、电机驱动等应用中都需要它，尤其是高端浮空自举电源的成功设计，可以大大降低驱动电流。它可用于驱动大功率开关电源、可控硅整流器和其他电力电子应用。如果你想要这些画，请跟我打招呼。整个电路最重要的部分是图片如下:可以看到和之间有一个自举电容，自举电容的耐压大于和地之间的去耦电容。
芯片是一个功率因数控制器，每个引脚的功能是不同的功能插在一边。借口很多，都是用来收集发射信号的，信号很强，用来控制电路生产，收集传输的信号。上述mosfet或IGBT形成一个桥接，其中靠近电源端子（如图中红色部分）的通常称为高压侧或上臂，靠近接地端子的通常称为低压侧或下臂，的典型应用电路完全相同。
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