光芯片的生产过程基本可以分为芯片设计、衬底制造、外延生长和晶粒制造四个过程，这表明其技术壁垒较高，其生产过程如下:根据中国光芯片的研发能力和出货能力，国内高速光芯片的国产化率较低。光刻工艺约占整个芯片制造成本，它是硅到芯片制造过程中的一种状态，是为芯片生产而制造的集成电路的原材料。
它是在超净室内通过各种工艺流程制造的圆形薄片。第一项技术:离子注入机与光刻机一样，也是芯片制造过程中必不可少的核心设备之一。测试步骤:检查背光的光电参数和光均匀性是否良好。公开资料显示，引线框架可以实现芯片电路的内部引线和外部引线之间的电连接以形成回路，属于构建集成电路过程中的核心材料。
LED芯片检查，显微镜检查:材料表面是否有机械损伤和麻点，LED芯片的电极大小和尺寸是否符合工艺要求；电极图案是否完整。引线框架是芯片的基本载体，占据了整个芯片的工艺流程。压焊的目标是将电极引向LED芯片，完成产品内外引线的连接。关键制造技术，打破西方垄断。铝线键合的过程是在LED芯片电极上按压第一个点，然后将铝线拉到相应的支架上方，按压第二个点然后将铝线折断。
芯片的制造过程大致可分为晶圆制造、晶圆探测和封装。在光刻过程中，光刻胶被均匀地涂在衬底上，经过曝光、显影和蚀刻后，掩模上的图案被转移到衬底上，形成与掩模完全对应的几何图案，硅单晶晶片越大。
