术语解释:最小击穿电压VBR:VBR是TVS的最小击穿电压和反向击穿电压。当电压上升到临界值时，发生电击穿，称为击穿电压，电流不会击穿，只有电压会击穿，而电压是电流产生的原因，齐纳击穿和雪崩击穿都是电击穿，降压后PN结完好无损，击穿电压:以一定速度增加电压并保持一定时间（这个时间一般很短），取决于击穿时的最高电压；介电强度:是击穿电压除以绝缘板的厚度，单位厚度的击穿电压是多少。
PN结击穿包括齐纳击穿、雪崩击穿和热击穿。反向击穿电压通常较低。名词的解释应该比较尴尬。该电压通常被称为死区电压。电压击穿是高电位和低电位之间的放电，也许它们之间的绝缘或空气在高电压之间失去了绝缘能力。死区电压意味着即使加上直流电压，也必须达到一定的大小才能导通。这个阈值称为死区电压。
绝缘材料的击穿是电压超过结材料的耐受电压后的导电现象。这时，电流通常会急剧增加，产生巨大的能量来燃烧材料。此时由于气体（物质）的绝缘被破坏，电流急剧上升，但放电电压不增加。锗二极管的死区电压约为0，反向击穿电流一般较大，可能超过器件的额定电流，导致器件过载损坏。理想二极管:死区电压=，
当施加的直流电压Uk很低时，正向电流很小，几乎为零，因为外部电场无法克服PN结中电场对多数载流子扩散运动的阻力。低于这个电压，TVS不会发生雪崩，此外，TVS二极管设计的改进使其具有更低的漏电流和结电容，因此在应对高速导电回路的静电冲击时具有更好的性能。实际二极管:硅二极管的空载电压为。
