mos管的饱和电压一般为，其极间电容相对较大。为了使mos管的开关速度快并降低功耗，需要对栅极进行快速充电和放电，驱动电路用于此目的，是的，相同的mos晶体管通过不同的电流具有不同的栅极电压，Vgs-Vth:是过驱电压，MOSFET的阈值电压V是当金属栅极下的半导体表面存在强反型时需要增加的栅源电压，从而出现导电沟道。
是的，需要G极电压。此时器件处于临界导通状态，器件的栅极电压被定义为阈值电压，阈值电压是MOSFET的重要参数之一。Cox:是每单位面积栅氧化层的电容。MOS的阈值电压在一个范围内。MOSFETS饱和时的漏极电流公式:I =（Uncox（w/l）*（vgs-vth）其中:un:为电子的迁移率。
当出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电性很弱。场管的输入阻抗非常高。当它悬浮时，它可以感应周围的电场被打开。一旦开启，当G极悬空时，其GS结电容无法放电，并继续开启一段时间。当输出电压达到某个值时，或者当DS电流达到某个值时，可以通过C和C，MOS进行充电，
一般来说，它与耐压有关。比如几十V的耐压一般是，MOS管的源漏可以切换，都是P型背栅中形成的N型区，MOS晶体管，当器件从耗尽态变为反型态时，将经历硅表面上的电子浓度等于空穴浓度的状态。还有W/L:氧化层的长宽比，nMOS:Vth=，，pMOS:Vth =-1。
