MOS晶体管是一种压控电流器件（不同于双极型的电流控制电流器件特性）。nmos和pmos的驱动能力比较:NMOS的电流Id必须从D流向S，而PMOS的电流必须从S流向D .通常，RDS非常小，导通时D和S的电压几乎相同，G的端电压比D的端电压高一个起始电压，这个起始电压实际上是比D的起始电压高。
nMOS晶体管的导通通过沟道中的电子产生电流。通常，NMOS的源极连接到衬底并一起接地。从漏极向源极施加正电压，电子从源极流向漏极。我们使电流的方向与电子的流动方向相反，因此电流从漏极流向源极。（漏极端子想要通过源极端子的电压，但是当漏极端子的端电压VD = vdd-vth时，nmos晶体管截止，电压不会再上升，因此存在阈值损失。
因此，nmos传输高电平具有阈值损耗。MOS和三极管类似，但三极管是电流驱动的，MOS是电压驱动的，所以控制时要考虑MOS的G端电压。沟道在源极被夹断，nmos被关闭。当栅源电压差为0时，在NMOS中，为了形成沟道/反型层，将对栅极G和衬底B施加两次纵向电压，此时G正极连接，B接地；为了控制沟道中的电流，在S和D中施加两次横向电压..
根据判断NMOS增强型场效应晶体管状态的条件（UGSth表示增强，电压UD》US表示N沟道），当UGS以N型MOS晶体管四端器件为例时，NMOS晶体管的四个端子为D、G、S和B，即漏极、栅极、源极和体。MOS晶体管有四个极:漏极、源极、栅极和体区。
