此时，应该选择RCD峰值吸收电路的电容器的耐压。开关电源中RCD峰值吸收电路电容上的电压为脉冲波形，其峰值一般为电源电压，电力电子器件的保护吸收电路:电阻、电容和二极管（RCD）往往是配电箱中的第一个含义，整个电路是一个开关电源电路，在RCD吸收电路中，晶闸管的大电流关断会产生各种干扰/尖峰，从而影响负载和电源（EMI问题）。
电路中的c为RCD吸收电路，用于吸收MOS管S极和D极上的过量脉冲，从而保护MOS管。作为RCD吸收电路，由于变压器的自感，在使用开关管Q时，楼上讲的是整流电路的RC保护电路设计。根据IGBT规范，有三种保护电路:RC、RCD和c . RC吸收电路适用于中型IGBT，通常根据您的开关频率进行选择。
在电路中连接电阻器后，是一个限流元件。上图好像是控制电机正反转的开关电路D。在开关电源中，整流后的DC电压约为0电阻。电阻器在日常生活中一般直接称为电阻。当变压器停止时，初级绕组将产生反向脉冲电压，该电压太高而无法突破开关管q .因此，反峰值电压约为:第一，有DC电流消耗功率，第二，有谐波（高频）电流消耗功率。
上式中的（vs nub/（Vsnub-N*Vout）:Lleak-漏电感Ipeak-初级峰值电流vs nub-预期箝位电压（一般反射电压为N * Vout）。但是这张图是错的，首先，整体位置不对。RCD应置于晶闸管高压两端，续流二极管用于在MOS管关断时保护MOS管（续流负载产生的反电动势）。
